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公开(公告)号：CN102597911B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201180002729.7
申请日：2011-06-29
Applicant: 英特尔公司
Inventor： J·G·赫尔默丁二世 , J·P·罗德里格斯 , V·斯里尼瓦桑
CPC classification number: H02J7/34 , G06F1/206 , G06F1/26 , G06F1/3234 , H02J7/0068 , Y02D10/16 , Y10T307/625
Abstract: 管理平台功耗的系统和方法可以包括：至少部分地基于AC适配器提供的电流来确定平台的功耗水平。可以至少部分地基于该平台的功耗水平来确定该平台中的集成电路的功率限度，其中所述功率水平可以应用于该集成电路。
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公开(公告)号：CN107003685A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580063668.3
申请日：2015-11-09
Applicant: 英特尔公司
IPC: G05F1/10
Abstract: 一种用于提供主动电流保护的方法和装置。在一个实施例中，所述方法包括：在变换到集成电路(IC)的新状态之前，通过基于所述新状态下的单独域频来计算多个域中的每个域的预期电流并且将所述预期电流与其针对所述新状态的所述多个域中的每个域的相关联电压相乘来计算所述IC中的所述多个域的预期功率之和；将所述和与功率限值进行比较；以及如果所述和大于所述功率限值则降低与所述多个域中的至少一个域相关联的所述单独域频以便将所述IC的总瞬时功率维持为低于所述功率限值。
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公开(公告)号：CN102597911A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201180002729.7
申请日：2011-06-29
Applicant: 英特尔公司
Inventor： J·G·赫尔默丁二世 , J·P·罗德里格斯 , V·斯里尼瓦桑
CPC classification number: H02J7/34 , G06F1/206 , G06F1/26 , G06F1/3234 , H02J7/0068 , Y02D10/16 , Y10T307/625
Abstract: 管理平台功耗的系统和方法可以包括：至少部分地基于AC适配器提供的电流来确定平台的功耗水平。可以至少部分地基于该平台的功耗水平来确定该平台中的集成电路的功率限度，其中所述功率水平可以应用于该集成电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107003685B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201580063668.3
申请日：2015-11-09
Applicant: 英特尔公司
IPC: G05F1/10
Abstract: 一种用于提供主动电流保护的方法和装置。在一个实施例中，所述方法包括：在变换到集成电路(IC)的新状态之前，通过基于所述新状态下的单独域频来计算多个域中的每个域的预期电流并且将所述预期电流与其针对所述新状态的所述多个域中的每个域的相关联电压相乘来计算所述IC中的所述多个域的预期功率之和；将所述和与功率限值进行比较；以及如果所述和大于所述功率限值则降低与所述多个域中的至少一个域相关联的所述单独域频以便将所述IC的总瞬时功率维持为低于所述功率限值。
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公开(公告)号：CN100394597C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN02807091.7
申请日：2002-02-11
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H01L23/49822 , H01L23/642 , H01L2224/16 , H01L2224/16235 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/3011 , H01L2224/0401
Abstract: 一种装置，包括含有第一表面和暴露在所述第一表面上的外部导电触点的封装。电容器在所述封装内。所述电容器具有暴露在所述电容器第一表面的第一导电触点。所述第一导电触点的第一部分跨越所述电容器的所述第一表面宽度。所述电容器的所述第一表面基本上平行于所述封装的所述第一表面。第一导电通路，将所述电容器所述第一导电触点的所述第一部分连接到邻近封装第一表面的第一导电触点。
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公开(公告)号：CN1547774A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN02807091.7
申请日：2002-02-11
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H01L23/49822 , H01L23/642 , H01L2224/16 , H01L2224/16235 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/3011 , H01L2224/0401
Abstract: 一种装置，包括含有第一表面和暴露在所述第一表面上的外部导电触点的封装。电容器在所述封装内。所述电容器具有暴露在所述电容器第一表面的第一导电触点。所述第一导电触点的第一部分跨越所述电容器的所述第一表面宽度。所述电容器的所述第一表面基本上平行于所述封装的所述第一表面。第一导电通路，将所述电容器所述第一导电触点的所述第一部分连接到邻近封装第一表面的第一导电触点。
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公开(公告)号：CN109478086B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN201780046655.4
申请日：2017-08-03
Applicant: 英特尔公司
Inventor： A·N·阿南塔克里什南 , J·P·罗德里格斯
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公开(公告)号：CN109478086A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780046655.4
申请日：2017-08-03
Applicant: 英特尔公司
Inventor： A·N·阿南塔克里什南 , J·P·罗德里格斯
CPC classification number: G06F1/266 , G06F1/324 , G06F1/3296 , Y02D10/126 , Y02D10/172
Abstract: 在一个实施例中，处理器包括：至少一个核，用于执行指令；功率控制器，用于控制处理器的功耗；以及存储，用于存储多个条目，所述多个条目用于将动态电容与电流尖峰将暴露至功率递送组件所持续的持续时间相关联。描述并要求保护其他实施例。
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