公开(公告)号：CN109860185A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201811297672.8

申请日：2018-10-31

Applicant: 英特尔公司

Inventor： J·S·莱布 ,  J·胡 ,  A·达斯古普塔 ,  M·L·哈藤多夫 ,  C·P·奥特

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开的实施例属于高级集成电路结构制造的领域，并且具体而言属于10纳米节点和更小的集成电路结构制造和所得结构的领域。在示例中，一种集成电路结构包括半导体衬底，所述半导体衬底包括具有从其突出的半导体鳍状物的N阱区。沟槽隔离层在所述半导体衬底上、包围所述半导体鳍状物，其中所述半导体鳍状物在所述沟槽隔离层上方延伸。栅极电介。质层在所述半导体鳍状物之上。导电层在所述半导体鳍状物之上的所述栅极电介质层之上，所述导电层包括钛、氮和氧。P型金属栅极层在所述半导体鳍状物之上的所述导电层之上。

公开(公告)号：CN109378342A

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201811104694.8

申请日：2014-12-02

Applicant: 英特尔公司

Inventor： J·M·施泰格瓦尔德 ,  T·加尼 ,  J·胡 ,  I·R·C·波斯特

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开内容的实施例描述了多阈值电压器件以及相关联的技术和结构。在一个实施例中，一种装置包括：半导体衬底、被设置在半导体衬底上的沟道体、具有第一厚度并且与沟道体耦合的第一栅极电极以及具有第二厚度并且与沟道体耦合的第二栅极电极，其中，第一厚度大于第二厚度。可以描述和/或请求保护其它实施例。

公开(公告)号：CN105723517B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201480062528.X

申请日：2014-12-02

Applicant: 英特尔公司

Inventor： J·M·施泰格瓦尔德 ,  T·加尼 ,  J·胡 ,  I·R·C·波斯特

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开内容的实施例描述了多阈值电压器件以及相关联的技术和结构。在一个实施例中，一种装置包括：半导体衬底、被设置在半导体衬底上的沟道体、具有第一厚度并且与沟道体耦合的第一栅极电极以及具有第二厚度并且与沟道体耦合的第二栅极电极，其中，第一厚度大于第二厚度。可以描述和/或请求保护其它实施例。

公开(公告)号：CN105723517A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201480062528.X

申请日：2014-12-02

Applicant: 英特尔公司

Inventor： J·M·施泰格瓦尔德 ,  T·加尼 ,  J·胡 ,  I·R·C·波斯特

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开内容的实施例描述了多阈值电压器件以及相关联的技术和结构。在一个实施例中，一种装置包括：半导体衬底、被设置在半导体衬底上的沟道体、具有第一厚度并且与沟道体耦合的第一栅极电极以及具有第二厚度并且与沟道体耦合的第二栅极电极，其中，第一厚度大于第二厚度。可以描述和/或请求保护其它实施例。

公开(公告)号：CN111801796A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN201880083627.4

申请日：2018-02-08

Applicant: 英特尔公司

Inventor： O·阿克顿 ,  J·施泰格瓦尔德 ,  A·默西 ,  S·玛多克斯 ,  J·胡

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/768

Abstract: 技术和机制用于提供包括栅极功函数硅化物的共形层的晶体管的功能。在实施例中，晶体管包括沟道区和延伸并邻接沟道区的栅极电介质。所述栅极电介质还邻接晶体管的层结构，所述层结构包括硅化物。所述硅化物包括硅和组分D，所述组分D包括来自IIIa族、IVa族或Va族中的一个的非金属元素。在另一个实施例中，硅化物还包括组分M，所述组分M包括来自IVb族、Vb族、VIb族、VIIB族或VIIIb族中的一个的过渡金属元素和/或包括来自IIIa族、IVa族或Va族中的一个的金属元素。

公开(公告)号：CN111785780A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN202010671465.5

申请日：2014-12-02

Applicant: 英特尔公司

Inventor： J·M·施泰格瓦尔德 ,  T·加尼 ,  J·胡 ,  I·R·C·波斯特

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开内容的实施例描述了多阈值电压器件以及相关联的技术和结构。在一个实施例中，一种装置包括：半导体衬底、被设置在半导体衬底上的沟道体、具有第一厚度并且与沟道体耦合的第一栅极电极以及具有第二厚度并且与沟道体耦合的第二栅极电极，其中，第一厚度大于第二厚度。可以描述和/或请求保护其它实施例。

公开(公告)号：CN101681188A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880019829.9

申请日：2008-05-27

Applicant: 英特尔公司

Inventor： J·胡

IPC: G06F1/20

CPC classification number: G06F1/20 ,  F28D5/00 ,  G06F1/203

Abstract: 在一些实施方式中，呈现了无源冷却超轻便个人计算机的蒸发冷却。在这一方面，介绍了一种装置，它具有多个集成电路设备、给集成电路设备供电的电源、罩住集成电路设备和电源的底盘、以及覆盖底盘的外壳，该外壳包括防水层和吸水层，防水层配置成防止水接触到集成电路设备，吸水层配置成吸收水。也揭示并提出了其它实施方式。