公开(公告)号：CN115863339A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211016764.0

申请日：2022-08-24

Applicant: 英特尔公司

Inventor： D·南迪 ,  M·J·科布林斯基 ,  G·杜威 ,  C-H·崔 ,  H·W·肯内尔 ,  B·J·克里斯特 ,  A·阿利亚鲁昆朱 ,  C·邦伯格 ,  R·沙阿 ,  R·米恩德鲁 ,  S·M·塞亚 ,  C·穆纳辛哈 ,  A·S·默西 ,  T·加尼

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/45 ,  H01L21/8234

Abstract: 描述了具有受限的外延源极或漏极结构的全环栅集成电路结构。例如，一种集成电路结构包括在子鳍状物之上的多个纳米线。栅极堆叠体在多个纳米线和子鳍状物上方。外延源极或漏极结构在多个纳米线的相对端上。外延源极或漏极结构包括锗和硼、以及保护层，保护层包括至少部分地覆盖外延源极或漏极结构的硅和锗。包括硅化钛的导电触点在外延源极或漏极结构上。