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公开(公告)号：CN119451269A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411469811.6
申请日：2024-10-21
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
Abstract: 本申请提供了一种选择性发射极太阳能电池的制备方法，所述方法包括在硅片的正面上印刷掺杂剂浆料层，并在掺杂剂浆料层上沉积有机层；使用第一激光切割所述有机层，使得有机层具有开口，暴露掺杂剂浆料层对应区域；使用第二激光对开口处暴露的掺杂剂浆料层对应区域进行熔融处理，使得硅片上对应开口的区域为重掺杂；使用第三激光去除开口处暴露的掺杂剂浆料层对应区域，暴露出正面对应钝化接触结构的区域，所述第一激光、所述第二激光和所述第三激光采用同一套激光系统；在暴露的区域内形成所述正面钝化接触结构。本申请通过精确激光加工，提高掺杂均匀性，减少硅片损伤，优化电池性能，从而显著提升太阳能电池的效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN118538779B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411003901.6
申请日：2024-07-25
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/0203 , H01L31/0236 , H01L31/0224
Abstract: 本申请涉及一种背接触太阳能电池，通过优化结构设计提高光电转换效率并降低生产成本，包括硅基基底，在硅基基底的背面交替间隔排列第一掺杂类型区域和第二掺杂类型区域，其间形成V型沟槽，V型沟槽侧边制绒的尺寸从底部向外逐渐减小，不仅增强光在太阳能电池内部的传播路径和陷光效果，还能直接利用该结构进行设备的光学对位。V型沟槽内填充有多层有机材料层，其折射率从硅基基底向外依次减小，有效减少光的反射和折射损失，提高光的吸收率。此外，本申请采用以激光为主的制造方式，通过调整激光能量实现不同的工艺作用，简化了制备流程，降低了设备投入和生产成本。该背接触太阳能电池结构设计合理，制备方法简便，具有高效、低成本的优势。
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公开(公告)号：CN117792282A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311833263.6
申请日：2023-12-28
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H02S50/15
Abstract: 本申请提供一种太阳能电池测试装置及测试方法，涉及太阳能电池技术领域。一种太阳能电池测试装置包含测试台，所述测试台上固设有遮光罩；所述测试台上固接有驱动电机，所述驱动电机的输出端连接有转接件，所述转接件上同轴固接有光源组件，所述转接件上圆周设置有多组测试工装，所述光源组件包含同轴固接于所述转盘上的遮光筒，所述遮光筒侧壁上圆周均匀设置有光源件，所述光源件沿所述遮光筒的轴向滑动设置，转盘间歇式转动，配合同步间歇转动的光源件，配合上下料的搬运工装，可使得整个转盘上的所有测试工装可呈持续性的对批量的待测太阳能电池板进行测试，继而避免光源件因频繁启停而导致使用寿命下降。
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公开(公告)号：CN117790611A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311800368.1
申请日：2023-12-26
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/0747 , H10K39/15 , H01L31/20
Abstract: 本申请涉及叠层太阳能电池，其中异质结太阳能电池层包括侧面本征非晶硅层，侧面本征非晶硅层的厚度为正面本征非晶硅层的厚度的1.5～3倍，本申请还提供了叠层太阳能电池的制造方法，将多个硅基底堆叠对齐放置，在硅基底的侧面沉积侧面本征非晶硅层，对异质结太阳能电池片的结构进行了优化，改善了异质结太阳能电池片中的边缘效应，使叠层太阳能电池片的性能更稳定，另外，将激光进行前后电隔离的刻蚀设置在侧面位置，避免了在太阳能电池片的正面或背面形成死区。
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公开(公告)号：CN118943220A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410996906.7
申请日：2024-07-24
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/054 , H01L31/048 , B82Y30/00
Abstract: 本申请涉及一种具有高效能量转换的太阳能电池组件，特别关注于通过改进封装胶膜层的设计，实现光线在太阳能电池组件中的均匀分布，避免不同电池片光照的差异从而提高光能利用率和能量转换效率。该太阳能电池组件通过在第二后胶膜和前胶膜中均匀混合有机颗粒和无机颗粒，形成具有特定折射率的匀光颗粒，能有效地散射和折射光线，使得光线在胶膜中进一步均匀地分布，使相邻电池片之间光线均匀，避免了光线分布不均匀的问题。另外，在第一后胶膜中混合了中空纳米级颗粒，其折射率大于空气的折射率且小于第一后胶膜基质的折射率。此外，第一后胶膜基质的折射率大于第二后胶膜基质的折射率，进一步增强光线的均匀分布，从而提高了光能利用率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117577724A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311802300.7
申请日：2023-12-26
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/0747 , H10K30/50 , H10K30/81 , H10K39/15 , H10K71/00
Abstract: 本申请通过设置穿孔电极并结合对钙钛矿层进行划线，将钙钛矿电池层应用在异质结太阳能电池层上，采用叠层方式充分利用太阳光谱，结合背接触方式，最大限度地利用入射光，提高转换效率，通过对钙钛矿电池层划线尺寸的选择，对钙钛矿电池层的电压进行调整及设计，实现与异质结太阳能电池层的兼容，有利于叠层太阳能电池的相关性能参数的设计。在制备方法中，通过穿孔电极的深度选择，并结合绝缘层的位置选择电连接的位置，实现对两层电池层的选择性连接，通过部分工序的简单调整，即可满足不同组件的要求，扩展了背接触太阳能电池的应用。
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公开(公告)号：CN117533685A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311755850.8
申请日：2023-12-20
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
Abstract: 本申请提供了一种太阳能电池板片存储装置，属于存储装置设备领域，该一种太阳能电池板片存储装置包括：存储柜和存取组件，所述存储柜抽拉设置有抽屉，所述存取组件包括移动车架、升降架、第一直线滑轨、第二直线滑轨、转动轴杆、支撑架和限位插杆，所述移动车架底部位于地面上部移动，所述升降架设置在所述移动车架一侧，所述转动轴杆一端与所述抽屉一侧螺纹连接。可以对不同规格、不同尺寸和不同品质的太阳能电池板进行快速取出，也便于将不同规格、不同尺寸和不同品质的太阳能电池板存储在不同的抽屉的内部，减少了现难以寻觅，较为凌乱的现象出现，给太阳能电池板存取提供便利。
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公开(公告)号：CN119053206A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411148960.2
申请日：2024-08-21
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种ZnS/SnS太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池制备技术领域，包括以下步骤：一、纳米级硒化ZnS/SnS复合材料的制备；二、ZnS/SnS@Ag8SnS6的制备；三、制备结构为FTO/ZnS/SnS@Ag8SnS6/钙钛矿吸光层/spiro‑oMeTAD/Ag的太阳能电池。通过上述方式，本发明采用ZnS/SnS@Ag8SnS6薄膜作为电子传输层，并设计ZnS/SnS@Ag8SnS6薄膜制备工艺，得到一种电学和光学性能高的ZnS/SnS太阳能电池，太阳能电池开路电压(Voc)为1.22V，短路电流密度(Jsc)为34.75mA/cm2，填充因子(FF)为74.65％，转换效率PCE为31.65％。
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公开(公告)号：CN118538779A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202411003901.6
申请日：2024-07-25
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/0203 , H01L31/0236 , H01L31/0224
Abstract: 本申请涉及一种背接触太阳能电池，通过优化结构设计提高光电转换效率并降低生产成本，包括硅基基底，在硅基基底的背面交替间隔排列第一掺杂类型区域和第二掺杂类型区域，其间形成V型沟槽，V型沟槽侧边制绒的尺寸从底部向外逐渐减小，不仅增强光在太阳能电池内部的传播路径和陷光效果，还能直接利用该结构进行设备的光学对位。V型沟槽内填充有多层有机材料层，其折射率从硅基基底向外依次减小，有效减少光的反射和折射损失，提高光的吸收率。此外，本申请采用以激光为主的制造方式，通过调整激光能量实现不同的工艺作用，简化了制备流程，降低了设备投入和生产成本。该背接触太阳能电池结构设计合理，制备方法简便，具有高效、低成本的优势。
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公开(公告)号：CN117577744A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311858556.X
申请日：2023-12-30
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/18
Abstract: 本申请实施例提供一种晶硅太阳能电池热氧化处理装置，涉及晶硅太阳电池技术领域。该晶硅太阳能电池热氧化处理装置包括底座、送料机构以及提升机构；所述预热箱上端安装有加热氧化箱，所述预热箱上端口与所述加热氧化箱的进料口对接；所述电动推杆安装在所述底座表面，所述电动推杆的活动端与所述置物板连接。根据本申请的晶硅太阳能电池热氧化处理装置，具有，预热箱上端连接加热氧化箱的进料口，使得加热氧化箱内热量部分进入到预热箱内，对放置在预热箱内的硅片进行预热处理，防止硅片受热不均发生龟裂；由于热气流上升的原理，使得高温气流向顶部聚集，通过将加热氧化箱设置在顶部，改善工作环境。
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