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公开(公告)号：CN114216507A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111528201.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 苏州科技大学
Abstract: 本发明属于大气环境监测技术领域，具体涉及一种用于浓度标定的OH自由基双生成系统。其包括生成羟基自由基的层流管、通过臭氧和烯烃混合通道接入层流管的臭氧生成系统和烯烃供给系统、通过水汽混合通道接入层流管的水汽发生系统，以及光反应系统，所述光反应系统包括汞灯及将所述汞灯导向臭氧生成系统或层流管的光路切换器。本发明提供的技术方案与现有技术相比具有如下优势：将两种定标方法巧妙的整合到一个系统中，可以实现多种检测模式，通过不同定标方法获得的结果进行比较，获得一个更为准确的OH自由基标准浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117825300A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311565590.8
申请日：2023-11-22
Applicant: 苏州科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于流动管反应的大气乙二醛浓度标定系统。本发明的大气乙二醛浓度标定系统，包括水汽发生系统、N2O供给系统、乙炔供给系统、反应流动管、光解系统和流动管固定座；所述光解系统中包括光解系统调节安装固定环；在流场和反应时间可控的反应流动管内，乙炔与OH自由基反应生成乙二醛；所述OH自由基由水汽发生系统供给的H2O通过光解反应制备得到；所述乙二醛的浓度通过OH自由基和乙炔的浓度计算得到；所述OH自由基的浓度通过流动管内N2O同步光解反应得到的NO浓度计算得到；所述NO浓度通过氮氧化物分析仪检测得到。本系统中乙二醛标准气体的产生精度约为8％，大大提升了乙二醛浓度标定的准确性。
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公开(公告)号：CN114388662A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111280405.1
申请日：2021-11-01
Applicant: 苏州科技大学
Abstract: 本发明公开一种红光发射二极管的制作方法，包括以下步骤：在衬底上通过金属有机物化学气相沉淀方法在表面长一层非掺的GaN薄膜；在非掺的GaN薄膜表面生长掺Si的n‑GaN薄膜；在掺Si的n‑GaN薄膜上，通过离子注入将Eu离子掺杂到n‑GaN薄膜形成掺杂Eu离子的GaN薄膜中；在掺杂Eu离子的GaN薄膜上继续通过MOCVC生长掺Mg的p‑GaN层；选择性刻蚀掺Mg的p‑GaN层一部分区域露出n‑GaN薄膜的一部分区域，露出的n‑GaN薄膜的区域和掺Mg的p‑GaN层顶部形成第一电极、第二电极。本发明红光发射二极管的制作方法解决了现有半导体发光二极管发光峰的位置和半高宽随着电流的变化而变化的缺陷。
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公开(公告)号：CN119715426A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411880755.5
申请日：2024-12-19
Applicant: 苏州科技大学
IPC: G01N21/31
Abstract: 本发明公开了一种用于腔衰减相移光谱的等效光程标定方法，包括依次设置的LED光源、谐振腔、光学斩波器、光电倍增管PMT、采集卡和电脑，所述光学斩波器包括入射端平凸透镜、出射端平凸透镜以及用电机驱动的斩波片，所述电机与电机控制器连接，控制信号由脉冲发生器产生；所述脉冲发生器还与LED光源及调制模块连接；获取调制频率、斩波器调制与LED调制的相位差、LED光源的直接调制光强、光学斩波器的透过率以及随相位差变化获取的总透射率的集合，能够反演出信号的衰荡时间的集合，对衰荡时间进行拟合分析，并用于计算等效光程长度L。本发明可更高分辨率、更高精度确定谐振腔的等效光程长度，从而优化了腔衰减相移光谱的使用。
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公开(公告)号：CN114216507B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202111528201.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 苏州科技大学
Abstract: 本发明属于大气环境监测技术领域，具体涉及一种用于浓度标定的OH自由基双生成系统。其包括生成羟基自由基的层流管、通过臭氧和烯烃混合通道接入层流管的臭氧生成系统和烯烃供给系统、通过水汽混合通道接入层流管的水汽发生系统，以及光反应系统，所述光反应系统包括汞灯及将所述汞灯导向臭氧生成系统或层流管的光路切换器。本发明提供的技术方案与现有技术相比具有如下优势：将两种定标方法巧妙的整合到一个系统中，可以实现多种检测模式，通过不同定标方法获得的结果进行比较，获得一个更为准确的OH自由基标准浓度。
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公开(公告)号：CN115000252A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210683697.1
申请日：2022-06-16
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H01L33/00 , H01L21/324 , H01L21/205 , H01L21/02 , C30B29/40 , C30B25/16 , C30B25/14 , C30B25/02
Abstract: 本发明公开一种稀土掺杂GaN纳米薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤一、在反应器中第一进气通道、第三进气通道内分别设置有镓金属蒸发池、稀土铕金属蒸发池，所述衬底设置于反应器的底部；步骤二、以氮气和氢气的混合气体作为载气混合有氨气从第二进气通道进入反应器内，氯化氢作为反应气体分别流过设置有镓金属蒸发池、稀土铕金属蒸发池的第一进气通道、第三进气通道，从而在衬底上形成铕掺GaN单晶薄膜；步骤三、将步骤二获得的铕掺GaN单晶薄膜装入炉中退火，退火条件为：氮气或和氨气，退火温度为1000~1200℃，退火时间为0.5~4 h。本发明制备方法获得的GaN纳米薄膜稀土离子掺入均匀并能使得稀土离子进入GaN晶格。
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