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公开(公告)号:CN113565680B
公开(公告)日:2025-01-14
申请号:CN202110881920.9
申请日:2021-08-02
Applicant: 苏州电器科学研究院股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种风力发电系统最大功率点追踪控制方法、装置及存储介质,种风力发电系统最大功率点追踪控制方法包括以下内容:结合直流无刷发电机三相换向函数,利用电力转换器开关切换技术,使风力发电系统可以在任何转速均处于最大功率点进行发电。本发明具有更好的精确性和稳定性。
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公开(公告)号:CN108254452A
公开(公告)日:2018-07-06
申请号:CN201611271903.9
申请日:2016-12-28
Applicant: 苏州电器科学研究院股份有限公司
CPC classification number: G01N30/02 , G01N30/06 , G01N2030/062
Abstract: 本发明提供一种可以有效检测出蜡笔中着色剂含量的方法。该方法采用高效液相色谱‑质谱联用仪(HPLC)同时分离定量蜡笔中一种或多种着色剂,被测样品需用温控型超声波水浴振荡器进行预处理。
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公开(公告)号:CN113565680A
公开(公告)日:2021-10-29
申请号:CN202110881920.9
申请日:2021-08-02
Applicant: 苏州电器科学研究院股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种风力发电系统最大功率点追踪控制方法、装置及存储介质,种风力发电系统最大功率点追踪控制方法包括以下内容:结合直流无刷发电机三相换向函数,利用电力转换器开关切换技术,使风力发电系统可以在任何转速均处于最大功率点进行发电。本发明具有更好的精确性和稳定性。
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公开(公告)号:CN108254364A
公开(公告)日:2018-07-06
申请号:CN201611271906.2
申请日:2016-12-28
Applicant: 苏州电器科学研究院股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种可以有效检测出电子材料中金元素含量的方法。该方法是用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP‑OES)来分析测试的,被测的电子材料样品在前处理时需用配有高压消解罐的微波消解系统进行加酸消解。
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公开(公告)号:CN113030832A
公开(公告)日:2021-06-25
申请号:CN202110304936.3
申请日:2021-03-22
Applicant: 苏州电器科学研究院股份有限公司
IPC: G01R35/02
Abstract: 本发明公开电流互感器复合误差检测装置及方法,该装置包括:检测平台、承载板、一次绕组电源分配器、二次绕组检测仪及控制装置,在检测平台上设有检测通槽,在检测通槽上设有检测组件,每组检测组件均包括:电源端子以及检测端子,电源端子和检测端子均能够伸缩;承载板与检测通槽滑动连接,在承载板上设有互感器承载单元,每个互感器承载单元用于对一个待检测电流互感器进行承载,一次绕组电源分配器分别与每组检测组件的电源端子电连接,二次绕组检测仪分别通过可调负载与每组检测组件的检测端子电连接,控制装置分别与一次绕组电源分配器和二次绕组检测仪电连接。本发明可以同时对多个电流互感器进行复合误差检测,省时省力。
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公开(公告)号:CN113030718A
公开(公告)日:2021-06-25
申请号:CN202110322015.X
申请日:2021-03-25
Applicant: 苏州电器科学研究院股份有限公司
IPC: G01R31/327 , G01R31/00
Abstract: 本发明涉及一种高压开关温升试验方法及系统,方法包括将待试验的试品部署在试验线路上,为试品提供试验所需的电流进行温升试验;采集试品的温度信息,得到第一温度值;对第一温度值进行修正,得到第二温度值;根据第二温度值和环境温度计算温升值。本发明对采集到的试品温度进行修正,得到试品的实际温度,利用实际温度计算温升值,能够显著提高试验结果的准确度,克服胶粘材料因耐热性差而导致其热阻会使测量出的温度与实际温度偏低的缺陷。
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公开(公告)号:CN111435123A
公开(公告)日:2020-07-21
申请号:CN201910042818.2
申请日:2019-01-11
Applicant: 苏州电器科学研究院股份有限公司
IPC: G01N23/2254 , G01N23/207 , G01N27/04 , G01Q60/24
Abstract: 本发明涉及一种测量金属性TiNx薄膜吸收系数的方法。首先对P-GaN衬底和覆有厚度约50nm的金属性TiNx薄膜的P-GaN的同一位置进行不同电压下的阴极荧光测试(CL),获得相应的阴极荧光强度;然后,根据朗伯特定律从而获得不同电压下TiNx薄膜的吸收系数,进而得到平均的吸收系数值;最后,利用四探针技术对薄膜的方块电阻进行测试,进一步确定TiNx薄膜的金属性。本发明利用SEM和CL相结合,获得金属性TiNx薄膜的吸收系数,从而提供了一种对半导体衬底上的厚度为几十纳米的金属性薄膜的吸收系数进行测定的新方法。
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