一种测量金属性TiNx薄膜吸收系数的方法

    公开(公告)号:CN111435123A

    公开(公告)日:2020-07-21

    申请号:CN201910042818.2

    申请日:2019-01-11

    Abstract: 本发明涉及一种测量金属性TiNx薄膜吸收系数的方法。首先对P-GaN衬底和覆有厚度约50nm的金属性TiNx薄膜的P-GaN的同一位置进行不同电压下的阴极荧光测试(CL),获得相应的阴极荧光强度;然后,根据朗伯特定律从而获得不同电压下TiNx薄膜的吸收系数,进而得到平均的吸收系数值;最后,利用四探针技术对薄膜的方块电阻进行测试,进一步确定TiNx薄膜的金属性。本发明利用SEM和CL相结合,获得金属性TiNx薄膜的吸收系数,从而提供了一种对半导体衬底上的厚度为几十纳米的金属性薄膜的吸收系数进行测定的新方法。

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