公开(公告)号：CN115036368A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210761945.X

申请日：2022-06-30

Applicant: 苏州晶讯科技股份有限公司

Inventor： 仇利民 ,  戴剑 ,  李启迪 ,  董福兴 ,  吴月挺

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开一种高功率密度的氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法，该晶体管包括若干个栅极功率元胞，多对栅极功率元胞形成一个功率单元，栅极功率元胞的栅岛与栅岛之间使用金属连接，相邻两个功率单元的栅极端进行电阻隔离，多个功率单元并联。本发明中，优化了栅极功率元胞结构，再采用多个栅极功率元胞结构并联形成功率单元，在0.25微米栅长的栅条上，经过对功率单元的并联，最终设计出低寄生效应的大栅宽高密度的GaN晶体管，实现了可使用于X波段120瓦的大功率管芯，有效解决工作电压与导通电阻之间的矛盾，全面提高了器件的输出功率和转换效率，对于提高器件的特征频率有积极的意义，将促进晶体管向高频率、高功率和宽带方向发展。

公开(公告)号：CN115036368B

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202210761945.X

申请日：2022-06-30

Applicant: 苏州晶讯科技股份有限公司

Inventor： 仇利民 ,  戴剑 ,  李启迪 ,  董福兴 ,  吴月挺

IPC: H10D30/47 ,  H10D30/01 ,  H10D64/00 ,  H10D64/27

Abstract: 本发明公开一种高功率密度的氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法，该晶体管包括若干个栅极功率元胞，多对栅极功率元胞形成一个功率单元，栅极功率元胞的栅岛与栅岛之间使用金属连接，相邻两个功率单元的栅极端进行电阻隔离，多个功率单元并联。本发明中，优化了栅极功率元胞结构，再采用多个栅极功率元胞结构并联形成功率单元，在0.25微米栅长的栅条上，经过对功率单元的并联，最终设计出低寄生效应的大栅宽高密度的GaN晶体管，实现了可使用于X波段120瓦的大功率管芯，有效解决工作电压与导通电阻之间的矛盾，全面提高了器件的输出功率和转换效率，对于提高器件的特征频率有积极的意义，将促进晶体管向高频率、高功率和宽带方向发展。

公开(公告)号：CN115611628A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211288841.8

申请日：2022-10-20

Applicant: 苏州晶讯科技股份有限公司

Inventor： 张甦 ,  龚建 ,  李启迪 ,  仇利民 ,  杨涛

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638

Abstract: 本发明公开了一种低温烧结陶瓷材料及其制备方法和应用；该陶瓷材料的化学组成为NaBi(WO4)2；该陶瓷材料是以Na2CO3、Bi2O3、WO3为原料，经球磨、预烧、造粒、压制成型、烧结制备而成。该低温烧结陶瓷材料可在625℃～800℃条件完成致密化，能够与铝、金内电极匹配共烧，并且具有较高品质因数、适宜的介电常数和接近零的谐振频率温度系数，可以较好的应用于LTCC器件或ULTCC器件。

公开(公告)号：CN115064326A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202210812611.0

申请日：2022-07-12

Applicant: 苏州晶讯科技股份有限公司

Inventor： 张甦 ,  戴剑 ,  杨涛 ,  李启迪 ,  仇利民

IPC: H01C7/105 ,  H01C1/14 ,  H01C17/28 ,  H01C17/30

Abstract: 本发明公开了一种电极间隙可控的静电抑制器及其制作方法，该静电抑制器包括从上至下依次设置的上电极引出层、功能层和下电极引出层；功能层包括中间树脂层、上功能电极层和下功能电极层；上电极引出层包括上树脂层和上引出端电极，下电极引出层包括下树脂层和下引出端电极；上引出端电极、上功能电极层、下引出端电极和下功能电极层之间通过填充于上树脂层、中间树脂层和下树脂层上设置的通孔中的金属铜连接；所述功能层中还填充有上下贯穿的可变阻浆料。该静电抑制器利用微米级别的电极间隙和可变阻浆料实现变阻作用，从而降低了电容，改善击穿电压，实现有效的静电保护作用。