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公开(公告)号:CN108511409A
公开(公告)日:2018-09-07
申请号:CN201810352036.4
申请日:2018-04-19
Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
IPC: H01L23/482 , H01L21/60 , H01L21/78
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/97 , H01L2224/02331 , H01L2224/02333 , H01L2224/02372 , H01L2224/02375 , H01L2224/03 , H01L2224/038
Abstract: 本发明揭示了一种半导体芯片的晶圆级封装方法,所述封装方法包括以下步骤:提供晶圆,晶圆具有彼此相对的第一表面以及第二表面,晶圆具有多颗网格排布的芯片,芯片具有感应区以及与感应区电耦合的焊垫;在晶圆的第二表面形成通孔,通孔底部暴露出焊垫;去除相邻两个芯片之间的部分基体;在通孔的底部以及侧壁形成再布线层,再布线层延伸至晶圆的第二表面并与焊垫电连接;在晶圆的第二表面上部以及通孔中形成阻焊层,阻焊层覆盖再布线层;对形成的晶圆级封装结构进行烘烤并进行去除相邻的芯片之间的部分阻焊层;在阻焊层上形成电连接再布线层的电连接端子;对形成的晶圆级封装结构进行切割,以获得多个独立的芯片。
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公开(公告)号:CN105226074A
公开(公告)日:2016-01-06
申请号:CN201510716297.6
申请日:2015-10-28
Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 本发明提供了一种影像传感芯片封装结构,包括:影像传感芯片,其具有相对的第一表面和第二表面,在第一表面上设置有影像传感区以及位于影像传感区周围的焊垫;从第二表面贯通至焊垫的通孔;设置于通孔侧壁以及第二表面上的钝化层;设置于通孔底面以及钝化层上的电连线层;电连接于电连线层的焊接凸点;位于电连线层与钝化层之间的缓冲层。该封装结构降低了影像传感芯片封装结构的潜在缺陷。
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公开(公告)号:CN108511409B
公开(公告)日:2021-03-02
申请号:CN201810352036.4
申请日:2018-04-19
Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
IPC: H01L23/482 , H01L21/60 , H01L21/78
Abstract: 本发明揭示了一种半导体芯片的晶圆级封装方法,所述封装方法包括以下步骤:提供晶圆,晶圆具有彼此相对的第一表面以及第二表面,晶圆具有多颗网格排布的芯片,芯片具有感应区以及与感应区电耦合的焊垫;在晶圆的第二表面形成通孔,通孔底部暴露出焊垫;去除相邻两个芯片之间的部分基体;在通孔的底部以及侧壁形成再布线层,再布线层延伸至晶圆的第二表面并与焊垫电连接;在晶圆的第二表面上部以及通孔中形成阻焊层,阻焊层覆盖再布线层;对形成的晶圆级封装结构进行烘烤并进行去除相邻的芯片之间的部分阻焊层;在阻焊层上形成电连接再布线层的电连接端子;对形成的晶圆级封装结构进行切割,以获得多个独立的芯片。
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公开(公告)号:CN205159327U
公开(公告)日:2016-04-13
申请号:CN201520848187.0
申请日:2015-10-28
Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本实用新型提供了一种影像传感芯片封装结构,包括:影像传感芯片,其具有相对的第一表面和第二表面,在第一表面上设置有影像传感区以及位于影像传感区周围的焊垫;从第二表面贯通至焊垫的通孔;设置于通孔侧壁以及第二表面上的钝化层;设置于通孔底面以及钝化层上的电连线层;电连接于电连线层的焊接凸点;位于电连线层与钝化层之间的缓冲层。该封装结构降低了影像传感芯片封装结构的潜在缺陷。
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