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公开(公告)号：CN102280433B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201110240043.3
申请日：2011-08-19
Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供晶圆级芯片尺寸封装结构及其制作方法，晶圆级芯片尺寸封装结构包括：减薄晶圆，所述减薄晶圆一侧的表面形成多个芯片焊垫；保护层，至少覆盖于所述减薄晶圆形成有芯片焊垫的一侧的表面以及所述芯片焊垫的表面，所述保护层内与所述芯片焊垫对应的位置处形成有焊球开口；焊球，位于所述焊球开口内，所述焊球与所述芯片焊垫电连接。所述方法包括：提供减薄晶圆，所述减薄晶圆一侧的表面形成多个芯片焊垫；形成保护层，所述保护层至少覆盖所述减薄晶圆的形成有芯片焊垫一侧的表面以及所述芯片焊垫的表面；所述保护层内形成焊球开口；在所述焊球开口内形成焊球，所述焊球与所述芯片焊垫电连接。本发明获得的晶圆级芯片尺寸封装的厚度较小。
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公开(公告)号：CN101964313A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010257486.9
申请日：2010-08-16
Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种封装方法以及封装结构，其中所述方法包括：提供半封装结构，包括压合的晶圆以及基板，所述晶圆相对于基板的背面形成有暴露部分芯片焊垫的V形沟槽；所述V形沟槽沿晶圆上相邻半导体芯片之间的切割线设置，并关于所述切割线对称；在晶圆背面形成第一绝缘掩模层；在V形沟槽的底部形成穿透第一绝缘掩模层以及芯片焊垫的通孔；在晶圆背面制作外引线、球下金属层以及焊接凸点，所述外引线的一端形成于通孔内，其至少覆盖通孔内壁露出的芯片焊垫，另一端通过球下金属层与焊接凸点电连通。本发明无需采用机械切割对V形沟槽进行半切，简化了工艺步骤，降低了工艺难度，所形成的封装结构简单，成本低廉易于生产制造的特点。
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公开(公告)号：CN101962166A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010257481.6
申请日：2010-08-16
Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了封装结构以及封装方法，其中封装结构包括：表面形成有微机电部件的半导体晶圆；真空的第一腔体，所述第一腔体正面与半导体晶圆粘接，并容纳所述微机电部件；环绕第一腔体的第二腔体，所述第二腔体正面与半导体晶圆粘接，且与第一腔体之间填充有隔离气体；第二基板，所述第二基板与第二腔体以及第一腔体的背面粘接。上述封装结构采用双层腔体密封，并且在外空腔内填充隔离气体以阻止空气通过粘接的部位进入内空腔，保持微机电系统芯片所需的高真空环境。具有气密性良好，结构简单，成本低廉易于生产制造的特点。
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公开(公告)号：CN101962166B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010257481.6
申请日：2010-08-16
Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了封装结构以及封装方法，其中封装结构包括：表面形成有微机电部件的半导体晶圆；真空的第一腔体，所述第一腔体正面与半导体晶圆粘接，并容纳所述微机电部件；环绕第一腔体的第二腔体，所述第二腔体正面与半导体晶圆粘接，且与第一腔体之间填充有隔离气体；第二基板，所述第二基板与第二腔体以及第一腔体的背面粘接。上述封装结构采用双层腔体密封，并且在外空腔内填充隔离气体以阻止空气通过粘接的部位进入内空腔，保持微机电系统芯片所需的高真空环境。具有气密性良好，结构简单，成本低廉易于生产制造的特点。
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公开(公告)号：CN102280391A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110256649.6
申请日：2011-09-01
Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L27/146 , H01L23/00 , H01L23/31
CPC classification number: H01L2224/16225
Abstract: 一种晶圆级封装结构及其形成方法，其中晶圆级封装结构的形成方法包括：提供基板；在所述基板内形成空腔；在所述基板内和空腔的部分表面形成再分布线路；提供待封装芯片，所述待封装芯片具有器件表面和与器件表面相对的底表面；在所述器件表面的焊垫层表面形成凸块下金属层和形成在凸块下金属层表面的凸块；将形成有凸块的待封装芯片与所述基板连接，使得所述待封装芯片与空腔正对且所述凸块与再分布线路电连接。本发明的晶圆级封装结构，结构简单，封装质量高，与后续PCB板制程结合时，匹配度高；本发明的晶圆级封装结构的形成方法工艺步骤节约，成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101964313B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201010257486.9
申请日：2010-08-16
Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种封装方法以及封装结构，其中所述方法包括：提供半封装结构，包括压合的晶圆以及基板，所述晶圆相对于基板的背面形成有暴露部分芯片焊垫的V形沟槽；所述V形沟槽沿晶圆上相邻半导体芯片之间的切割线设置，并关于所述切割线对称；在晶圆背面形成第一绝缘掩模层；在V形沟槽的底部形成穿透第一绝缘掩模层以及芯片焊垫的通孔；在晶圆背面制作外引线、球下金属层以及焊接凸点，所述外引线的一端形成于通孔内，其至少覆盖通孔内壁露出的芯片焊垫，另一端通过球下金属层与焊接凸点电连通。本发明无需采用机械切割对V形沟槽进行半切，简化了工艺步骤，降低了工艺难度，所形成的封装结构简单，成本低廉易于生产制造的特点。
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公开(公告)号：CN102280433A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110240043.3
申请日：2011-08-19
Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供晶圆级芯片尺寸封装结构及其制作方法，晶圆级芯片尺寸封装结构包括：减薄晶圆，所述减薄晶圆一侧的表面形成多个芯片焊垫；保护层，至少覆盖于所述减薄晶圆形成有芯片焊垫的一侧的表面以及所述芯片焊垫的表面，所述保护层内与所述芯片焊垫对应的位置处形成有焊球开口；焊球，位于所述焊球开口内，所述焊球与所述芯片焊垫电连接。所述方法包括：提供减薄晶圆，所述减薄晶圆一侧的表面形成多个芯片焊垫；形成保护层，所述保护层至少覆盖所述减薄晶圆的形成有芯片焊垫一侧的表面以及所述芯片焊垫的表面；所述保护层内形成焊球开口；在所述焊球开口内形成焊球，所述焊球与所述芯片焊垫电连接。本发明获得的晶圆级芯片尺寸封装的厚度较小。
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公开(公告)号：CN102270590A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110257344.7
申请日：2011-09-01
Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/498
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2224/1403 , H01L2924/00012
Abstract: 一种晶圆级封装结构及封装方法，其中晶圆级封装方法包括：提供待封装晶圆，所述晶圆表面形成有多个分立焊垫；在所述焊垫表面形成导电的等高柱；在所述等高柱表面形成凸点。本发明提供的晶圆级封装方法工艺简单，本发明提供的晶圆级封装结构封装质量高。
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公开(公告)号：CN102024897A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010521656.X
申请日：2010-10-27
Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/97
Abstract: 一种发光二极管的晶圆级封装结构及其制造方法，晶圆级封装结构包括：位于单元基底第一表面的第一开口；位于单元基底第一表面的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上导线，且导线之间相互电隔离；位于所述导线上的凸点，用于与发光二极管的裸芯片的电极电连接；位于单元基底第二表面的第二开口，且所述第二开口与第一开口相对；引脚区，位于所述基底的第二表面上；引脚线且与所述导线对应电连接。本发明通过在基底的第二表面形成引脚线将发光二极管的电极引出，即本技术方案中发光二极管的引脚线与发光二极管位于基底的两个对立面内，这样可以减小所需基底面积；而且在后续封装结构中无需打金线技术将其电极引出，进一步减小了封装后的体积。
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公开(公告)号：CN102280391B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110256649.6
申请日：2011-09-01
Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L27/146 , H01L23/00 , H01L23/31
CPC classification number: H01L2224/16225
Abstract: 一种晶圆级封装结构及其形成方法，其中晶圆级封装结构的形成方法包括：提供基板；在所述基板内形成空腔；在所述基板内和空腔的部分表面形成再分布线路；提供待封装芯片，所述待封装芯片具有器件表面和与器件表面相对的底表面；在所述器件表面的焊垫层表面形成凸块下金属层和形成在凸块下金属层表面的凸块；将形成有凸块的待封装芯片与所述基板连接，使得所述待封装芯片与空腔正对且所述凸块与再分布线路电连接。本发明的晶圆级封装结构，结构简单，封装质量高，与后续PCB板制程结合时，匹配度高；本发明的晶圆级封装结构的形成方法工艺步骤节约，成本低。
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