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公开(公告)号:CN102981205B
公开(公告)日:2015-02-04
申请号:CN201210575507.0
申请日:2012-12-26
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开了一种亚波长矩形环阵列四分之一波片及其制作方法,该波片包括SiO2基片及位于所述基片上的银膜,银膜由若干周期性的二维环形孔径阵列构成,二维环形孔径中相邻的两个孔径长度L1、L2相等、宽度W1、W2不等,当入射的线偏振光以偏振方位角从基片下方入射时,通过基片和银膜后的透射场沿两正交方向分量的位相满足或并且当时,振幅分量Ex、Ey相等。本发明提供的等离子1/4波片结构简单、易于集成,在光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中,具有很大的应用价值。
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公开(公告)号:CN103389537B
公开(公告)日:2015-10-28
申请号:CN201310343575.9
申请日:2013-08-08
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开了一种宽带反射型亚波长矩形环阵列四分之一波片及其制作方法,该波片包括由下至上依次设置的玻璃基片、第一金属层、玻璃层和第二金属层,第二金属层由若干周期性的二维环形孔径阵列构成,二维环形孔径中相邻的两个孔径长度L1、L2相等、宽度W1、W2不等,当入射的线偏振光以偏振方位角θ从第二金属层上方入射时,第二金属层上的反射场沿两正交方向分量的位相Фx,Фy满足相位差为π/2,π或3π/2;并且当θ=45°时,振幅分量Ex、Ey相等。本发明通过优化设计,在1.55um波长处实现了1/4波片的功能,且在130nm的超宽波长范围内,两正交分量的相位差变化低于π/2的2%,整个波带范围内反射率都达到90%。
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公开(公告)号:CN103389537A
公开(公告)日:2013-11-13
申请号:CN201310343575.9
申请日:2013-08-08
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开了一种宽带反射型亚波长矩形环阵列四分之一波片及其制作方法,该波片包括由下至上依次设置的玻璃基片、第一金属层、玻璃层和第二金属层,第二金属层由若干周期性的二维环形孔径阵列构成,二维环形孔径中相邻的两个孔径长度L1、L2相等、宽度W1、W2不等,当入射的线偏振光以偏振方位角θ从第二金属层上方入射时,第二金属层上的反射场沿两正交方向分量的位相Фx,Фy满足相位差为π/2,π或3π/2;并且当θ=45°时,振幅分量Ex、Ey相等。本发明通过优化设计,在1.55um波长处实现了1/4波片的功能,且在130nm的超宽波长范围内,两正交分量的相位差变化低于π/2的2%,整个波带范围内反射率都达到90%。
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公开(公告)号:CN102981205A
公开(公告)日:2013-03-20
申请号:CN201210575507.0
申请日:2012-12-26
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开了一种亚波长矩形环阵列四分之一波片及其制作方法,该波片包括SiO2基片及位于所述基片上的银膜,银膜由若干周期性的二维环形孔径阵列构成,二维环形孔径中相邻的两个孔径长度L1、L2相等、宽度W1、W2不等,当入射的线偏振光以偏振方位角从基片下方入射时,通过基片和银膜后的透射场沿两正交方向分量的位相满足或并且当时,振幅分量Ex、Ey相等。本发明提供的等离子1/4波片结构简单、易于集成,在光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中,具有很大的应用价值。
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