公开(公告)号：CN115295413B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202210989047.X

申请日：2022-08-17

Applicant: 苏州大学

Inventor： 都薇 ,  郭倩倩 ,  王涛

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/861 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明涉及一种双极性二极管器件及其制备方法，包括利用热蒸发方法蒸镀得到一金属底电极，采用机械剥离方法获得结功能层，并采用干法转移方式将所述结功能层转移至金属底电极表面，最后将液态金属电极与所述结功能层接触，其中，所述金属底电极材料为功函数大于4.5eV的金属，所述结功能层的材料为双极性二维半导体材料，所述结功能层和所述液态金属电极的接触面积可以通过下压或提拉液态金属电极的方式调控；本发明所提供的双极性二极管器件将液态金属电极用于二维半导体二极管器件的构筑，利用液态金属的尺寸和形貌的可调控性实现了二极管器件的极性可调。

公开(公告)号：CN115295413A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210989047.X

申请日：2022-08-17

Applicant: 苏州大学

Inventor： 都薇 ,  郭倩倩 ,  王涛

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/861 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明涉及一种双极性二极管器件及其制备方法，包括利用热蒸发方法蒸镀得到一金属底电极，采用机械剥离方法获得结功能层，并采用干法转移方式将所述结功能层转移至金属底电极表面，最后将液态金属电极与所述结功能层接触，其中，所述金属底电极材料为功函数大于4.5eV的金属，所述结功能层的材料为双极性二维半导体材料，所述结功能层和所述液态金属电极的接触面积可以通过下压或提拉液态金属电极的方式调控；本发明所提供的双极性二极管器件将液态金属电极用于二维半导体二极管器件的构筑，利用液态金属的尺寸和形貌的可调控性实现了二极管器件的极性可调。

公开(公告)号：CN119342955A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202411874410.9

申请日：2024-12-19

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王涛 ,  陈永辰 ,  都薇

IPC: H10H20/832 ,  H10H20/81 ,  H10H20/825 ,  H10H20/01 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明涉及一种基于六方氮化硼的电致发光器件及其制备方法，属于电致发光器件技术领域。本发明的基于六方氮化硼的电致发光器件，包括：金属基底；银纳米线层，设置于所述金属基底表面；六方氮化硼层，设置于所述银纳米线层表面；石墨烯层，设置于所述六方氮化硼层表面，并与所述金属基底接触；所述银纳米线层、六方氮化硼层和石墨烯层形成隧道结结构，克服了六方氮化硼大带隙的限制，通过电激发方式，实现了基于六方氮化硼的电致发光器件，具有在可见光到近红外波段的荧光发射。

公开(公告)号：CN119072207A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202310650039.7

申请日：2023-06-02

Applicant: 牛津大学(苏州)科技有限公司 ,  苏州大学

Inventor： 王丹丹 ,  马克·莫洛尼 ,  都薇 ,  许文睿

IPC: H10K77/10 ,  H10K71/00 ,  H10K10/00

Abstract: 本申请提供了一种衬底及其制备方法与器件、金属隧道结，其中，衬底包括金属基底以及覆盖金属基底的修饰层，修饰层包括卡宾化合物，卡宾化合物与金属基底形成金属‑碳共价键。金属‑碳共价键的化学稳定性优异，不易在周围环境中发生反应而被破坏，也不容易断裂，可广泛用于各种分子器件的制备。

公开(公告)号：CN116298751B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202310170384.0

申请日：2023-02-27

Applicant: 苏州大学

Inventor： 都薇 ,  朱广朋 ,  王涛

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/265

Abstract: 本发明涉及一种激子传输器件的激子观察方法，包括：获取激子传输器件，激子传输器件包括二维半导体单层和与其连接的第一电极、第二电极；在室温下，通过对所述第一电极施加水平电场，同时使第二电极接地，以驱动所述二维半导体单层中的激子传输；通过光照实现对所述二维半导体单层的上表面进行全覆盖照射，以观察二维半导体单层中的激子发光亮暗变换，根据所述激子发光亮暗变换得到激子传输情况。本发明能够对二维材料激子器件中单层内的激子进行有效观察，基于观察到二维半导体单层内的激子情况，真正使激子传输器件在光电转换和片上信息传输领域具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN116298751A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310170384.0

申请日：2023-02-27

Applicant: 苏州大学

Inventor： 都薇 ,  朱广朋 ,  王涛

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/265

Abstract: 本发明涉及一种激子传输器件的激子观察方法，包括：获取激子传输器件，激子传输器件包括二维半导体单层和与其连接的第一电极、第二电极；在室温下，通过对所述第一电极施加水平电场，同时使第二电极接地，以驱动所述二维半导体单层中的激子传输；通过光照实现对所述二维半导体单层的上表面进行全覆盖照射，以观察二维半导体单层中的激子发光亮暗变换，根据所述激子发光亮暗变换得到激子传输情况。本发明能够对二维材料激子器件中单层内的激子进行有效观察，基于观察到二维半导体单层内的激子情况，真正使激子传输器件在光电转换和片上信息传输领域具有广阔的应用前景。