公开(公告)号：CN116298751B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202310170384.0

申请日：2023-02-27

Applicant: 苏州大学

Inventor： 都薇 ,  朱广朋 ,  王涛

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/265

Abstract: 本发明涉及一种激子传输器件的激子观察方法，包括：获取激子传输器件，激子传输器件包括二维半导体单层和与其连接的第一电极、第二电极；在室温下，通过对所述第一电极施加水平电场，同时使第二电极接地，以驱动所述二维半导体单层中的激子传输；通过光照实现对所述二维半导体单层的上表面进行全覆盖照射，以观察二维半导体单层中的激子发光亮暗变换，根据所述激子发光亮暗变换得到激子传输情况。本发明能够对二维材料激子器件中单层内的激子进行有效观察，基于观察到二维半导体单层内的激子情况，真正使激子传输器件在光电转换和片上信息传输领域具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN116298751A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310170384.0

申请日：2023-02-27

Applicant: 苏州大学

Inventor： 都薇 ,  朱广朋 ,  王涛

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/265

Abstract: 本发明涉及一种激子传输器件的激子观察方法，包括：获取激子传输器件，激子传输器件包括二维半导体单层和与其连接的第一电极、第二电极；在室温下，通过对所述第一电极施加水平电场，同时使第二电极接地，以驱动所述二维半导体单层中的激子传输；通过光照实现对所述二维半导体单层的上表面进行全覆盖照射，以观察二维半导体单层中的激子发光亮暗变换，根据所述激子发光亮暗变换得到激子传输情况。本发明能够对二维材料激子器件中单层内的激子进行有效观察，基于观察到二维半导体单层内的激子情况，真正使激子传输器件在光电转换和片上信息传输领域具有广阔的应用前景。