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公开(公告)号：CN118978158A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411052024.1
申请日：2024-08-01
Applicant: 苏州大学
IPC: C01B32/914 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种碳化物材料及其制备方法与应用，尤其是一种二维碳化物，特别是具有洁净表面和超高金属电子导电性的二维Cr2C薄膜，其中的铬原子拓扑结构为笼目晶格，具有固有的六方晶格结构/六方蜂窝状晶格，加上铬的独特电子构型，能赋予材料优异的量子磁态和高导电性。
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