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公开(公告)号：CN108440424A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810315919.8
申请日：2018-04-10
Applicant: 苏州大学
IPC: C07D241/38 , C07D401/04 , C07D401/14 , C07D413/04 , C07D417/04 , C07D471/06 , C07D498/06 , C07D513/06 , C07D471/16 , C07D498/16 , C07D513/16 , C07D241/46 , C07D401/10 , C07D413/10 , C07D417/10 , C07D413/14 , C07D417/14 , C07D519/00 , C07D403/04 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一种苊并吡嗪衍生物及其应用，该苊并吡嗪衍生物为包含以下通式(1)表示的化合物：通式(1)中，Y1和Y2选自氢基或氰基中的一种；L1连接一个或两个R1，L2连接一个或两个R2，且L1和L2分别选自氢基或单键，和/或，环原子数为6～18的芳基/杂芳族环；R1和R2分别选自环原子数为10～40的芳胺基。该苊并吡嗪衍生物通过修饰其他不同化学基团，使其具有优异的发光特性、稳定的结构以及较高的色纯度，同时，其制备成本较低。
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公开(公告)号：CN107425130A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710622827.X
申请日：2017-07-27
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供一种高效无机量子点发光二极管器件的制备方法，制备步骤如下：将ITO透明导电玻璃基片清洗后烘干；将PEIE用乙醇稀释到浓度为0.05-0.1wt%，然后将PEIE溶液涂在基片上形成10 nm左右的薄膜；接着将PEIE掺入ZnO 溶液中，掺杂浓度为0.05-0.1 wt%，然后将ZnO:PEIE的混合溶液涂在基片上；随后涂上溶解在甲苯中的无机量子点；最后将基片置于真空腔内，依次蒸镀CBP,CBP:MoO3,MoO3,Al，即得量子点发光二极管器件。本发明采用PEIE/ZnO:PEIE作为电子注入层，降低了电子的注入势垒，提高了电子的注入效率，从而大大提高了器件的整体效率。
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公开(公告)号：CN105591039A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201610151884.X
申请日：2016-03-17
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供一种有机发光二极管器件的制备方法，制备步骤如下：将ITO透明导电玻璃基片清洗后烘干；将InCl3溶于水中，然后将基片浸泡水溶液，再干燥，形成InCl3薄膜层；接着将基片用紫外灯和臭氧处理后置于真空腔内；在InCl3薄膜层上真空蒸镀TAPC、TCTA或mCP，形成空穴传输层；采用双源蒸镀的方法，以CBP为主体材料，Irppy(acac)2为染料，在空穴传输层上蒸镀有机发光层；在有机发光层上真空蒸镀TPBi，形成电子传输层；在电子传输层上依次真空蒸镀Liq和Al，形成电子注入层和阴极层，即得有机发光二极管器件。本发明采用InCl3薄膜制作二极管器件的界面修饰层，易于制作，重复性好。
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公开(公告)号：CN107425130B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201710622827.X
申请日：2017-07-27
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供一种高效无机量子点发光二极管器件的制备方法，制备步骤如下：将ITO透明导电玻璃基片清洗后烘干；将PEIE用乙醇稀释到浓度为0.05‑0.1wt%，然后将PEIE溶液涂在基片上形成10 nm左右的薄膜；接着将PEIE掺入ZnO溶液中，掺杂浓度为0.05‑0.1 wt%，然后将ZnO:PEIE的混合溶液涂在基片上；随后涂上溶解在甲苯中的无机量子点；最后将基片置于真空腔内，依次蒸镀CBP,CBP:MoO3,MoO3,Al，即得量子点发光二极管器件。本发明采用PEIE/ZnO:PEIE作为电子注入层，降低了电子的注入势垒，提高了电子的注入效率，从而大大提高了器件的整体效率。
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公开(公告)号：CN109004094A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810801695.1
申请日：2018-07-20
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种柔性白光器件，包括基板、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、阴极层和封装层，其特征在于，所述的基板中掺杂有量子点或荧光粉，所述的有机发光层为蓝光或紫外光有机发光层，通过蓝光或紫外有机发光二极管激发量子点、荧光粉发光实现白光。该器件降低了利用有机发光二极管制作白光的难度，又可以保证光谱的稳定和提高光谱的显色指数，基板厚度可控可以有效减弱微腔效应增强出光，且可实现柔性器件寿命的高稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107770309A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710972636.6
申请日：2017-10-18
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: H04M1/0266 , H01L27/3244
Abstract: 本发明公开了近红外发光像素在OLED屏幕移动终端结构的应用，移动终端为手机屏幕，手机屏幕由屏幕基板、阳极、栅极、TFT驱动电路、驱动电压负极线、显示单元、阴极、触控电路、偏光板、玻璃屏幕构成，显示单元包括近红外有机发光二极管，近红外有机发光二极管由发光基板、阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、阴极组成，发光层为近红外有机发光层，近红外发光层由多个像素点组成，每个像素点由TFT电路控制；显示单元还包括红、绿、蓝或白光发光二极管并在同一块发光基板上组合排列而成。本发明近红外有机材料在移动终端中的应用，有效克服了无机半导体近红外器件制备的弊端，且应用范围广，利于发展新功能。
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公开(公告)号：CN108409720B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201810315618.5
申请日：2018-04-10
Applicant: 苏州大学
IPC: C07D403/04 , C07D241/38 , C07D401/04 , C07D413/04 , C07D417/04 , C07D403/14 , C07D401/14 , C07D413/14 , C07D417/14 , C07D403/10 , C07D401/10 , C07D413/10 , C07D417/10 , C07D498/06 , C07D241/46 , C07D513/06 , C07D471/06 , C07D471/16 , C07D498/16 , C07D513/16 , C07D519/00 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一种有机发光材料、有机发光材料的应用及有机电致发光器件，该有机发光材料为包含以下通式(1)表示的化合物：通式(1)中，Y1和Y2分别选自氢基或氰基中的一种；X1和X2分别选自CH或N中的一种；L1连接一个或两个R1，L2连接一个或两个R2，且L1和L2分别选自氢基或单键，和/或，环原子数为6～18的芳基/杂芳族环；R1和R2分别选自环原子数为10～40的芳胺基。该有机发光材料以苊并吡嗪衍生物为结构通式，并通过修饰其他不同化学基团，使该有机发光材料具有优异的发光特性、稳定的结构以及较高的色纯度，同时，其制备成本较低。
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公开(公告)号：CN108409720A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810315618.5
申请日：2018-04-10
Applicant: 苏州大学
IPC: C07D403/04 , C07D241/38 , C07D401/04 , C07D413/04 , C07D417/04 , C07D403/14 , C07D401/14 , C07D413/14 , C07D417/14 , C07D403/10 , C07D401/10 , C07D413/10 , C07D417/10 , C07D498/06 , C07D241/46 , C07D513/06 , C07D471/06 , C07D471/16 , C07D498/16 , C07D513/16 , C07D519/00 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一种有机发光材料、有机发光材料的应用及有机电致发光器件，该有机发光材料为包含以下通式(1)表示的化合物： 通式(1)中，Y1和Y2分别选自氢基或氰基中的一种；X1和X2分别选自CH或N中的一种；L1连接一个或两个R1，L2连接一个或两个R2，且L1和L2分别选自氢基或单键，和/或，环原子数为6～18的芳基/杂芳族环；R1和R2分别选自环原子数为10～40的芳胺基。该有机发光材料以苊并吡嗪衍生物为结构通式，并通过修饰其他不同化学基团，使该有机发光材料具有优异的发光特性、稳定的结构以及较高的色纯度，同时，其制备成本较低。
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公开(公告)号：CN107275523A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710442771.X
申请日：2017-06-13
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: H01L51/001 , H01L51/5012 , H01L51/56 , H01L2251/301
Abstract: 本发明提供了一种纯无机钙钛矿发光二极管器件的制备方法，该方法包括如下步骤：（1）将ITO透明导电玻璃基片进行标准化清洗烘干后进行预处理；（2）将ITO转移至真空腔，进行空穴注入层和传输层蒸镀；（3）采用双源共蒸镀的方法，蒸镀形成纯无机的CsPbX3钙钛矿发光层薄膜；（4）使用红外热辐射装置，对CsPbX3钙钛矿膜热处理；（5）热蒸镀形成电子传输层、电子注入层和金属阴极电极。本发明的制作工艺简单便捷，制备难度低，采用全真空蒸镀的方法制备器件，易于制作，重复性好，器件性能稳定；通过双源共蒸镀制备方法，提高了薄膜的平整性和均一性，并且便于更换主体和客体材料或者改变两者比例，实现发光峰位置的调控。
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公开(公告)号：CN105591039B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201610151884.X
申请日：2016-03-17
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供一种有机发光二极管器件的制备方法，制备步骤如下：将ITO透明导电玻璃基片清洗后烘干；将InCl3溶于水中，然后将基片浸泡水溶液，再干燥，形成InCl3薄膜层；接着将基片用紫外灯和臭氧处理后置于真空腔内；在InCl3薄膜层上真空蒸镀TAPC、TCTA或mCP，形成空穴传输层；采用双源蒸镀的方法，以CBP为主体材料，Irppy(acac)2为染料，在空穴传输层上蒸镀有机发光层；在有机发光层上真空蒸镀TPBi，形成电子传输层；在电子传输层上依次真空蒸镀Liq和Al，形成电子注入层和阴极层，即得有机发光二极管器件。本发明采用InCl3薄膜制作二极管器件的界面修饰层，易于制作，重复性好。
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