公开(公告)号：CN107425130B

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201710622827.X

申请日：2017-07-27

Applicant: 苏州大学

Inventor： 廖良生 ,  石英力 ,  胡云 ,  梁丰

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种高效无机量子点发光二极管器件的制备方法，制备步骤如下：将ITO透明导电玻璃基片清洗后烘干；将PEIE用乙醇稀释到浓度为0.05‑0.1wt%，然后将PEIE溶液涂在基片上形成10 nm左右的薄膜；接着将PEIE掺入ZnO溶液中，掺杂浓度为0.05‑0.1 wt%，然后将ZnO:PEIE的混合溶液涂在基片上；随后涂上溶解在甲苯中的无机量子点；最后将基片置于真空腔内，依次蒸镀CBP,CBP:MoO3,MoO3,Al，即得量子点发光二极管器件。本发明采用PEIE/ZnO:PEIE作为电子注入层，降低了电子的注入势垒，提高了电子的注入效率，从而大大提高了器件的整体效率。

公开(公告)号：CN107425130A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710622827.X

申请日：2017-07-27

Applicant: 苏州大学

Inventor： 廖良生 ,  石英力 ,  胡云 ,  梁丰

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种高效无机量子点发光二极管器件的制备方法，制备步骤如下：将ITO透明导电玻璃基片清洗后烘干；将PEIE用乙醇稀释到浓度为0.05-0.1wt%，然后将PEIE溶液涂在基片上形成10 nm左右的薄膜；接着将PEIE掺入ZnO 溶液中，掺杂浓度为0.05-0.1 wt%，然后将ZnO:PEIE的混合溶液涂在基片上；随后涂上溶解在甲苯中的无机量子点；最后将基片置于真空腔内，依次蒸镀CBP,CBP:MoO3,MoO3,Al，即得量子点发光二极管器件。本发明采用PEIE/ZnO:PEIE作为电子注入层，降低了电子的注入势垒，提高了电子的注入效率，从而大大提高了器件的整体效率。