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公开(公告)号：CN108987524A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810812634.5
申请日：2018-07-23
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0304
Abstract: 本发明涉及一种雪崩光电二极管，包括依次设置的p型GaN层、p型Al0.2Ga0.8N层、第一倍增层、插入层Al0.35Ga0.65N、第二倍增层、n型Al0.45Ga0.55N电荷层、i型Al0.45Ga0.55N吸收层以及n型Al0.5Ga0.5N层；其中，第一倍增层为i型Al0.2Ga0.8N，第二倍增层为i型Al0.45Ga0.55N，插入层为n型Al0.35Ga0.65N；插入层的厚度为20-80nm，插入层的n型掺杂浓度为1×1017cm-3-1.5×1018cm-3。本发明通过控制不同Al组分材料倍增层之间的极化效应，以及倍增层之间添加的插入层参数，有效地控制雪崩光电二极管器件内部电场分布情况，达到控制器件特性的目的。
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