公开(公告)号：CN118899346A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410850852.3

申请日：2024-06-28

Applicant: 苏州大学

Inventor： 杨新波 ,  王心雨

IPC: H01L31/0216

Abstract: 本发明属于太阳电池技术领域，具体涉及一种电子选择性钝化接触结构及其应用。所述电子选择性钝化接触结构设置于硅衬底的表面，包括依次制备的氧化硅隧穿层、氧化镁层和氢钝化盖层。本发明的电子选择性钝化接触结构具有优异的表面钝化性能，同时实现电子选择性传输。宽带隙氧化镁层可以避免光学寄生吸收问题，且具有高的电子浓度及体电导率，所述氧化镁层可通过掺杂进一步优化其光、电学性能，进而提高其电子选择性钝化接触性能。

公开(公告)号：CN114937706A

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202210499539.0

申请日：2022-05-09

Applicant: 苏州大学

Inventor： 杨新波 ,  王心雨

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种晶硅太阳能电池用叠层钝化薄膜及其制备方法。本发明所述的叠层钝化薄膜由B2O3层、钝化膜盖层以及含氢盖层组成，并利用激光技术实现p型局部掺杂。通过原子层沉积技术沉积B2O3层，作为钝化层兼掺杂源层，B2O3层分布均匀，因而后续在利用该B2O3层进行激光照射掺杂的时候，使得硼离子在扩散区的分布均匀；本方法直接通过激光照射的方式对硅衬底进行硼p+掺杂并同时实现了开窗，合理调控激光参数可极大减少对硅衬底的损伤。本发明的制备方法所涉及的各个工艺，基本使用当前主流的方式，因而该方法与现有产线的兼容性较高，无需专门设计新的工艺和产线即可实现，因而大大降低了本发明新方法推广的生产成本。

公开(公告)号：CN114937706B

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202210499539.0

申请日：2022-05-09

Applicant: 苏州大学

Inventor： 杨新波 ,  王心雨

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种晶硅太阳能电池用叠层钝化薄膜及其制备方法。本发明所述的叠层钝化薄膜由B2O3层、钝化膜盖层以及含氢盖层组成，并利用激光技术实现p型局部掺杂。通过原子层沉积技术沉积B2O3层，作为钝化层兼掺杂源层，B2O3层分布均匀，因而后续在利用该B2O3层进行激光照射掺杂的时候，使得硼离子在扩散区的分布均匀；本方法直接通过激光照射的方式对硅衬底进行硼p+掺杂并同时实现了开窗，合理调控激光参数可极大减少对硅衬底的损伤。本发明的制备方法所涉及的各个工艺，基本使用当前主流的方式，因而该方法与现有产线的兼容性较高，无需专门设计新的工艺和产线即可实现，因而大大降低了本发明新方法推广的生产成本。