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公开(公告)号:CN114195184B
公开(公告)日:2023-02-10
申请号:CN202210026015.X
申请日:2022-01-11
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种二维硫属化合物,所述二维硫属化合物为晶态材料,化学式为(NH4)2[Sn3S7]·(C4H13N3)1.41,晶胞参数为:α=β=90°,γ=120°,空间群为P63/mmc。本发明还公开了所述二维硫属化合物的制备方法及其在吸附碘蒸气中的应用。本发明公开的二维硫属化合物,能够在不同的碘蒸气浓度(低至400ppm)下及较广的温度范围内(25℃~75℃)实现对碘蒸气的去除,且不会因为长时间静置而出现碘的脱附现象。
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公开(公告)号:CN114195184A
公开(公告)日:2022-03-18
申请号:CN202210026015.X
申请日:2022-01-11
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种二维硫属化合物,所述二维硫属化合物为晶态材料,化学式为(NH4)2[Sn3S7]·(C4H13N3)1.41,晶胞参数为:α=β=90°,γ=120°,空间群为P63/mmc。本发明还公开了所述二维硫属化合物的制备方法及其在吸附碘蒸气中的应用。本发明公开的二维硫属化合物,能够在不同的碘蒸气浓度(低至400ppm)下及较广的温度范围内(25℃~75℃)实现对碘蒸气的去除,且不会因为长时间静置而出现碘的脱附现象。
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公开(公告)号:CN113896227A
公开(公告)日:2022-01-07
申请号:CN202111257968.9
申请日:2021-10-27
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种二维硫属化合物,所述二维硫属化合物为晶态材料,化学式为(NH4)2[Sn3S7],晶胞参数为:α=β=90°,γ=120°,空间群为本发明还公开了所述二维硫属化合物的制备方法以及在吸附碘蒸气中的应用。本发明公开的二维硫属化合物,能够在不同的碘蒸气浓度(低至400ppm)下及较广的温度范围内(25℃~75℃)实现对碘蒸气的去除,且不会因为长时间静置而出现碘的脱附现象。
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公开(公告)号:CN214503373U
公开(公告)日:2021-10-26
申请号:CN202120416159.7
申请日:2021-02-25
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本实用新型涉及一种用于自激发光材料光学性质评估的装置,包括样品室,其用于容纳自激发光材料,所述自激发光材料在所述样品室内发出自激光子;光强度探测系统,所述光强度探测系统包括多个对自激光子进行收集的光电传感器,多个所述光电传感器在样品室内呈球面分布;所述自激发光材料位于多个所述光电传感器组成的球面内。二极管连接电路和构成球面结构的多个光电传感器能够将自激发光材料产生的光信号转换成电信号进行多角度的集成,探测出自激发光材料发出的光强度大小,对自激发光材料进行性能评估和优化。
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