公开(公告)号：CN117080276A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311053596.7

申请日：2023-08-21

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张婧璐 ,  王楷 ,  张程 ,  李孝峰 ,  龚靖轩 ,  黄亮杰 ,  桑鸣利 ,  曾维莊 ,  崔畅

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/108

Abstract: 本发明属于光电传感技术领域，具体涉及一种基于塔姆等离子的平面硅基红外热电子光电探测器。该平面硅基红外热电子光电探测器包括依次设置的硅基底、金薄膜和分布式布拉格反射器；所述分布式布拉格反射器包括依次交替设置于所述金薄膜上的第二薄膜和第一薄膜；其中，直接接触所述金薄膜的第二薄膜为缺陷层，所述缺陷层的材质为二氧化钛。本发明采用金属材料作为吸光层，通过基于分布式布拉格反射器进一步地提高了金的光吸收效率、热电子产生率，以及热电子转移到硅中的收集效率。通过改变分布式布拉格反射器中的缺陷层的厚度可调节探测器的响应波长，进而实现窄带的光电探测。

公开(公告)号：CN117080275A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311053583.X

申请日：2023-08-21

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张程 ,  王楷 ,  张婧璐 ,  李孝峰 ,  桑鸣利 ,  曾维荘 ,  崔畅

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/101

Abstract: 本发明属于光电器件领域，具体涉及一种基于塔姆等离子的硅基红外热电子光电探测器，所述硅基红外热电子光电探测器包括：硅基底；金薄膜，设置于所述硅基底的一侧表面；布拉格反射器，设置于所述金薄膜远离所述硅基底的一侧表面，包括交替设置的若干对氟化镁层和二氧化钛层；其中，直接接触所述金薄膜的为缺陷层，所述缺陷层为二氧化钛层；底部减反膜，设置于所述硅基底远离所述金薄膜的一侧表面。本发明采用金薄膜作为吸光层，通过布拉格反射器，促进塔姆等离子的产生，提高了金的吸收率，热电子产生率，以及光响应度。且通过改变缺陷层的厚度可以调节探测器的响应波长，进而实现窄带的光电探测。