公开(公告)号：CN109309141A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201811140121.0

申请日：2018-09-28

Applicant: 苏州大学

Inventor： 陈俊 ,  张军喜

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种InGaAs-InP基异质结光电晶体管，包括衬底、生长在衬底上的发射区、生长在发射区上的基区、生长在基区上的集电区，其特征在于：所述发射区为P型InP，所述基区为N型InGaAs，所述集电区为P型InGaAs，通过调整所述发射区、基区、集电区的厚度和掺杂浓度来优化所述光电晶体管的工作电压和光响应度。本发明的InGaAs-InP基异质结光电晶体管，能够探测波长1550nm的红外光，且在0.5V工作电压、20μW/cm2的入射光功率下光响应度能够达到378A/W。

公开(公告)号：CN114220877A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111426363.8

申请日：2021-11-27

Applicant: 苏州大学

Inventor： 陈俊 ,  张军喜

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H01L27/28

Abstract: 本发明公开了一种p‑InAlAs/i‑InGaAs/n‑InAlAs近红外光电探测器，其特征在于，包括：InP基底、位于InP基底上的n型InAlAs底电极接触层、位于底电极接触层上的i型InGaAs吸收层、位于吸收层上的p型InAlAs接触层以及氮化硅绝缘层。本发明还公开了一种基于近红外光电探测器与OLED的上转换器件，包括所述的p‑InAlAs/i‑InGaAs/n‑InAlAs近红外光电探测器以及形成于p型InAlAs接触层上的OLED器件，所述InP基底的背面设有底电极。本发明的基于近红外光电探测器与OLED的上转换器件，提升了近红外光电探测器的响应率，同时实现了InAlAs材料与OLED结构的集成问题，实现红外光‑可见光的转换功能。