公开(公告)号：CN108269940A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201810057993.4

申请日：2018-01-22

Applicant: 苏州大学

Inventor： 孙宝全 ,  宋涛 ,  吴晨

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/5072 ,  H01L51/0032 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及一种碱金属卤化物掺杂的钙钛矿发光二极管，包括衬底、空穴传输层、活性发光层、电子传输层、电极修饰层和电极，活性发光层的厚度为5-100nm，活性发光层包括钙钛矿以及掺杂于其中的碱金属卤化物；钙钛矿的分子式为CsPbClxBr3-x、CsPbBrxI3-x、MAPbClxBr3-x、MAPbBrxI3-x、FAPbClxBr3-x和FAPbBrxI3-x中的一种或几种，其中，x＝0、1、2或3；碱金属卤化物为LiCl、NaCl、KCl、RbCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、LiI、NaI、KI和RbI中的一种或几种。本发明还提供了其制备方法：在衬底上形成空穴传输层或电子传输层；在空穴传输层或电子传输层上修饰含碱金属卤化物的钙钛矿前驱体溶液作为活性发光层；在活性发光层上方依次形成电子传输层、阴极修饰层和阴极或依次形成空穴传输层、阳极修饰层和阳极；封装。

公开(公告)号：CN102522109A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110447634.8

申请日：2011-12-28

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张立军 ,  郑坚斌 ,  季爱民 ,  吴晨 ,  王媛媛

IPC: G11C7/12

Abstract: 本发明公开了一种电源管理电路，连接在存储单元的输出端和地极之间，所述电源管理电路用以控制存储单元获得预定的电源电压以分别实现工作、休眠或保值状态，所述电源管理电路包括至少一个PMOS管，所述PMOS管的衬底连接电源端VCC，所述PMOS管的源极连接于所述存储单元的输出端，所述PMOS管的漏极连接于地极，所述PMOS管栅极和漏极在存储单元处于保值状态时连通，所述PMOS管栅极和漏极在存储单元处于工作或休眠状态时不连通。该电源管理电路在降低存储电路功耗的同时，还可以提高对数据的保持能力，同时该电源管理电路在电源端电压VCC降低的情况下，可以使得存储单元的轨到轨电压相对变大。

公开(公告)号：CN102522829A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110447635.2

申请日：2011-12-28

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张立军 ,  郑坚斌 ,  季爱民 ,  吴晨 ,  王媛媛

IPC: H02J15/00 ,  H02J7/00

Abstract: 本发明公开了一种电源管理电路，用以将预定电压提供给存储单元，所述电源管理电路包括第一晶体管、第二晶体管、第一输入端、第二输入端和输出端，所述第一晶体管的源极与电源端VCC连接，所述第一晶体管的栅极与第二晶体管的漏极共接且与第一输入端连接，所述第一晶体管的漏极与第二晶体管的源极共接且与输出端连接，所述第二晶体管的栅极与第二输入端连接，所述第一输入端和第二输入端提供逻辑控制信号。该电源管理电路在降低存储电路功耗的同时，还可以提高对数据的保持能力，同时该电源管理电路所占的面积小。

公开(公告)号：CN102522829B

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201110447635.2

申请日：2011-12-28

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张立军 ,  郑坚斌 ,  季爱民 ,  吴晨 ,  王媛媛

IPC: H02J15/00 ,  H02J7/00

Abstract: 本发明公开了一种电源管理电路，用以将预定电压提供给存储单元，所述电源管理电路包括第一晶体管、第二晶体管、第一输入端、第二输入端和输出端，所述第一晶体管的源极与电源端VCC连接，所述第一晶体管的栅极与第二晶体管的漏极共接且与第一输入端连接，所述第一晶体管的漏极与第二晶体管的源极共接且与输出端连接，所述第二晶体管的栅极与第二输入端连接，所述第一输入端和第二输入端提供逻辑控制信号。该电源管理电路在降低存储电路功耗的同时，还可以提高对数据的保持能力，同时该电源管理电路所占的面积小。