公开(公告)号：CN101557891A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200780045680.7

申请日：2007-12-12

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 高阶重昭 ,  津浦德雄 ,  川畑智昭 ,  茨田大介

IPC: B22C9/08

CPC classification number: B22C9/086 ,  B22D43/004

Abstract: 本发明提供一种用于从熔融物中除去异物的部件，其被构造成包括过滤器保持件以及耐热性过滤器，其中所述过滤器保持件由含有有机纤维、无机纤维和热固化性树脂的结构体构成，所述用于从熔融物中除去异物的部件被设置于铸模的流道中。

公开(公告)号：CN1680509A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN200510064805.3

申请日：2005-04-06

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 本间祐一 ,  平幸治 ,  高阶重昭

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409

Abstract: 本发明涉及一种包含平均粒径为1～30nm的研磨材料和水的研磨液组合物，其中该研磨材料的填充率为79～90重量％；涉及一种基板的制造方法，其包括将上述研磨液组合物引入到基板与研磨垫之间，使其一边与所述基板接触，一边进行研磨的工序；还涉及一种减少被研磨基板的划痕的方法，其包括使用上述研磨液组合物对被研磨基板进行研磨的工序。本发明的研磨液组合物，例如适用于磁盘、磁光盘等磁性记录介质的基板、光掩模基板、光盘、光学透镜、光学反射镜、光学棱镜、半导体基板等精密部件基板的研磨。

公开(公告)号：CN1680509B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200510064805.3

申请日：2005-04-06

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 本间祐一 ,  平幸治 ,  高阶重昭

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409

Abstract: 本发明涉及一种包含平均粒径为1～30nm的研磨材料和水的研磨液组合物，其中该研磨材料的填充率为79～90重量％；涉及一种基板的制造方法，其包括将上述研磨液组合物引入到基板与研磨垫之间，使其一边与所述基板接触，一边进行研磨的工序；还涉及一种减少被研磨基板的划痕的方法，其包括使用上述研磨液组合物对被研磨基板进行研磨的工序。本发明的研磨液组合物，例如适用于磁盘、磁光盘等磁性记录介质的基板、光掩模基板、光盘、光学透镜、光学反射镜、光学棱镜、半导体基板等精密部件基板的研磨。

公开(公告)号：CN1517424A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200310124746.5

申请日：2003-12-26

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 米田康洋 ,  高阶重昭 ,  萩原敏也

IPC: C09K3/14 ,  C08J5/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C08K3/36 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明提供在水系介质中含有二氧化硅粒子、聚合物粒子和阳离子型化合物的研磨液组合物，使用该研磨液组合物的精密部件用基片的研磨方法，使用前述的研磨液组合物的精密部件用基片的平整化方法，具有使用前述研磨液组合物(第1研磨液组合物)在研磨负荷50～1000hPa下进行研磨的第1工序，和使用在水系介质中含有二氧化硅粒子的第2研磨液组合物在研磨负荷50～1000hPa下进行研磨的第2工序的精密部件用基片的平整化方法。前述的研磨液组合物，例如在平整形成薄膜的表面上具有凹凸的半导体基片时有用。