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公开(公告)号：CN111511870B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN201880083779.4
申请日：2018-12-21
Applicant: 花王株式会社
Inventor： 内田洋平
IPC: C09K3/14 , H01L21/3105 , B24B37/00 , B24B37/04
Abstract: 本发明的氧化硅膜用研磨液组合物含有氧化铈粒子、水溶性高分子化合物及水系介质，上述水溶性高分子化合物是包含甜菜碱结构的水溶性高分子化合物(其中，羧基甜菜碱均聚物、磺基甜菜碱均聚物除外)。上述水溶性高分子化合物优选为含有结构单元A和结构单元B的水溶性高分子化合物，所述结构单元A包含甜菜碱结构，所述结构单元B是上述结构单元A以外的结构单元，且含有伯氨基、仲氨基、叔氨基、季铵基及它们的盐中的至少1种基团。
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公开(公告)号：CN110114856B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201780079482.6
申请日：2017-10-26
Applicant: 花王株式会社
Inventor： 内田洋平
IPC: H01L21/304 , C11D7/22 , C11D17/08
Abstract: 本发明的硅晶片用冲洗剂组合物含有水溶性高分子A和水系介质，所述水溶性高分子A包含具有甜菜碱结构的结构单元A。水溶性高分子A优选包含下述式(1)所示的结构单元。水溶性高分子优选还包含下述式(2)所示的结构单元B。水溶性高分子A的重均分子量优选为1000以上，且优选为3000000以下。本发明的硅晶片用冲洗剂组合物根据需要而包含pH调节剂。
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公开(公告)号：CN105659357B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201480057685.1
申请日：2014-10-21
Applicant: 花王株式会社
Abstract: 本发明的硅晶片用研磨液组合物含有二氧化硅粒子0.01～0.5质量％、含氮碱性化合物、及水溶性高分子，水溶性高分子包含下述通式(1)所表示的结构单元，于水溶性高分子中，源自羟基的氧原子数与源自聚氧亚烷基的氧原子数之比(源自羟基的氧原子数/源自聚氧亚烷基的氧原子数)为0.8～10。水溶性高分子优选为选自由聚缩水甘油、聚缩水甘油衍生物、聚甘油、聚甘油衍生物、以聚乙烯醇为侧链的聚乙烯醇‑聚乙二醇接枝共聚物所组成的组中的至少1种。
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公开(公告)号：CN119816929A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380063997.2
申请日：2023-09-05
Applicant: 花王株式会社
Inventor： 内田洋平
IPC: H01L21/308 , H01L21/306
Abstract: 本发明在一个方式中提供一种保存稳定性优异的蚀刻液组合物。本发明在一个方式中涉及一种蚀刻液组合物，其用于蚀刻包含至少1种金属的被蚀刻层，上述蚀刻液组合物包含硝酸、数均分子量为300以上的多元胺、分子量小于300的含氮碱性化合物、及水。
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公开(公告)号：CN111511870A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201880083779.4
申请日：2018-12-21
Applicant: 花王株式会社
Inventor： 内田洋平
IPC: C09K3/14 , H01L21/3105 , B24B37/00
Abstract: 本发明的氧化硅膜用研磨液组合物含有氧化铈粒子、水溶性高分子化合物及水系介质，上述水溶性高分子化合物是包含甜菜碱结构的水溶性高分子化合物(其中，羧基甜菜碱均聚物、磺基甜菜碱均聚物除外)。上述水溶性高分子化合物优选为含有结构单元A和结构单元B的水溶性高分子化合物，所述结构单元A包含甜菜碱结构，所述结构单元B是上述结构单元A以外的结构单元，且含有伯氨基、仲氨基、叔氨基、季铵基及它们的盐中的至少1种基团。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110114856A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201780079482.6
申请日：2017-10-26
Applicant: 花王株式会社
Inventor： 内田洋平
IPC: H01L21/304 , C11D7/22 , C11D17/08
Abstract: 本发明的硅晶片用冲洗剂组合物含有水溶性高分子A和水系介质，所述水溶性高分子A包含具有甜菜碱结构的结构单元A。水溶性高分子A优选包含下述式(1)所示的结构单元。水溶性高分子优选还包含下述式(2)所示的结构单元B。水溶性高分子A的重均分子量优选为1000以上，且优选为3000000以下。本发明的硅晶片用冲洗剂组合物根据需要而包含pH调节剂。
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公开(公告)号：CN118434825A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202280084365.X
申请日：2022-12-23
Applicant: 花王株式会社
Abstract: 本发明提供[1]一种起泡方法，其包括：工序(X)，将包含基于最大泡压法的动态表面张力开始降低的时间为60,000ms以内的起泡剂(A)和有机溶剂(B)的起泡性组合物与气体混合并使其发泡；以及工序(Y)，使用多孔质体使泡微细化，并且提供[2]一种物品，其包含泡排出容器和上述泡排出容器内的起泡性组合物，上述起泡性组合物包含基于最大泡压法的动态表面张力开始降低的时间为60,000ms以内的起泡剂(A)和有机溶剂(B)，上述泡排出容器的泡排出机构包含多孔质体。
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公开(公告)号：CN109844908B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201780063904.0
申请日：2017-10-26
Applicant: 花王株式会社
Inventor： 内田洋平
IPC: H01L21/304 , C11D7/04 , C11D7/08 , C11D7/20 , C11D7/22
Abstract: 本发明的硅晶片用冲洗剂组合物包含水溶性高分子及水，且上述水溶性高分子为含有水溶性高分子的二氧化硅水分散液(水分散液S)的Zeta电位Z与二氧化硅水分散液(水分散液S0)的Zeta电位Z0之差(Z－Z0)成为25mV以下的水溶性高分子；该含有水溶性高分子的二氧化硅水分散液(水分散液S)包含上述水溶性高分子、二氧化硅粒子、水及视需要包含的盐酸或氨，上述水溶性高分子的浓度为0.1质量％，上述二氧化硅粒子的浓度为0.1质量％，且25℃下的pH值为7.0，该二氧化硅水分散液(水分散液S0)包含二氧化硅粒子、水及视需要包含的盐酸或氨，上述二氧化硅粒子的浓度为0.1质量％，且25℃下的pH值为7.0。
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公开(公告)号：CN109844908A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201780063904.0
申请日：2017-10-26
Applicant: 花王株式会社
Inventor： 内田洋平
IPC: H01L21/304 , C11D7/04 , C11D7/08 , C11D7/20 , C11D7/22
Abstract: 本发明的硅晶片用冲洗剂组合物包含水溶性高分子及水，且上述水溶性高分子为含有水溶性高分子的二氧化硅水分散液(水分散液S)的Zeta电位Z与二氧化硅水分散液(水分散液S0)的Zeta电位Z0之差(Z－Z0)成为25mV以下的水溶性高分子；该含有水溶性高分子的二氧化硅水分散液(水分散液S)包含上述水溶性高分子、二氧化硅粒子、水及视需要包含的盐酸或氨，上述水溶性高分子的浓度为0.1质量％，上述二氧化硅粒子的浓度为0.1质量％，且25℃下的pH值为7.0，该二氧化硅水分散液(水分散液S0)包含二氧化硅粒子、水及视需要包含的盐酸或氨，上述二氧化硅粒子的浓度为0.1质量％，且25℃下的pH值为7.0。
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公开(公告)号：CN105659357A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201480057685.1
申请日：2014-10-21
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: H01L21/02024 , B24B37/044 , C08K3/36 , C08K7/00 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C08L51/08 , C08L71/02
Abstract: 本发明的硅晶片用研磨液组合物含有二氧化硅粒子0.01～0.5质量％、含氮碱性化合物、及水溶性高分子，水溶性高分子包含下述通式(1)所表示的结构单元，于水溶性高分子中，源自羟基的氧原子数与源自聚氧亚烷基的氧原子数之比(源自羟基的氧原子数/源自聚氧亚烷基的氧原子数)为0.8～10。水溶性高分子优选为选自由聚缩水甘油、聚缩水甘油衍生物、聚甘油、聚甘油衍生物、以聚乙烯醇为侧链的聚乙烯醇-聚乙二醇接枝共聚物所组成的组中的至少1种。
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