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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114364954A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202080063009.0
申请日：2020-09-11
Applicant: 芬兰国家技术研究中心股份公司
Inventor： 阿波·瓦普拉 , 乔纳·蒂拉 , 基尔西·塔普拉 , 格里戈拉斯·凯斯图蒂斯 , 米卡·普伦尼拉
IPC: G01J5/12 , G01J5/02 , H01L27/144 , H01L35/32 , H01L35/34
Abstract: 根据本发明的示例方面，提供一种探测器，所述探测器包括：光学吸收膜，其悬挂在膜与基板之间的空腔上方，所述基板包括在探测器中；以及热电转换器，其将光学吸收膜附接在空腔上方，其中，光学吸收膜在热电转换器的n型热电元件与p型热电元件之间形成接触元件。
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公开(公告)号：CN114364954B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202080063009.0
申请日：2020-09-11
Applicant: 芬兰国家技术研究中心股份公司
Inventor： 阿波·瓦普拉 , 乔纳·蒂拉 , 基尔西·塔普拉 , 格里戈拉斯·凯斯图蒂斯 , 米卡·普伦尼拉
IPC: G01J5/12 , G01J5/02 , H01L27/144 , H10N10/17 , H10N10/01
Abstract: 根据本发明的示例方面，提供一种探测器，所述探测器包括：光学吸收膜，其悬挂在膜与基板之间的空腔上方，所述基板包括在探测器中；以及热电转换器，其将光学吸收膜附接在空腔上方，其中，光学吸收膜在热电转换器的n型热电元件与p型热电元件之间形成接触元件。
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公开(公告)号：CN111356907B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201880070853.9
申请日：2018-08-31
Applicant: 芬兰国家技术研究中心股份公司
Abstract: 晶片级集成热探测器，包括键合在一起的第一晶片和第二晶片(W1，W2)。所述第一晶片(W1)包括电介质的或半导体的基板(100)，沉积在所述基板上的电介质的牺牲层(102)，沉积在所述牺牲层或基板上的支撑层(104)，在所述支撑层中的开口(106)内设有悬挂式有源元件(108)，位于所述悬挂式有源元件对侧的第一真空密封腔(110)和第二真空密封腔(106)。所述第一真空密封腔(110)在所述悬挂式有源元件(108)的位置处延伸到所述牺牲层(102)中。所述第二真空密封腔(106)包括所述支撑层(104)的开口，键合的第二晶片封闭所述开口。所述热探测器还包括使辐射从外部进入所述第一真空密封腔和所述第二真空密封腔中的前部光学器件(120)，设置为将辐射反射回所述第一真空密封腔和第二真空密封腔中的另一个的后部反射器(112)，以及用于将悬挂式有源元件与读出电路(118)连接的电连接(114)。
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公开(公告)号：CN119901378A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411798154.X
申请日：2020-09-11
Applicant: 芬兰国家技术研究中心股份公司
Inventor： 阿波·瓦普拉 , 乔纳·蒂拉 , 基尔西·塔普拉 , 格里戈拉斯·凯斯图蒂斯 , 米卡·普伦尼拉
Abstract: 根据本发明的示例方面，提供一种探测器，所述探测器包括：光学吸收膜，其悬挂在膜与基板之间的空腔上方，所述基板包括在探测器中；以及热电转换器，其将光学吸收膜附接在空腔上方，其中，光学吸收膜在热电转换器的n型热电元件与p型热电元件之间形成接触元件。
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公开(公告)号：CN111356907A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201880070853.9
申请日：2018-08-31
Applicant: 芬兰国家技术研究中心股份公司
Abstract: 晶片级集成热探测器，包括键合在一起的第一晶片和第二晶片(W1，W2)。所述第一晶片(W1)包括电介质的或半导体的基板(100)，沉积在所述基板上的电介质的牺牲层(102)，沉积在所述牺牲层或基板上的支撑层(104)，在所述支撑层中的开口(106)内设有悬挂式有源元件(108)，位于所述悬挂式有源元件对侧的第一真空密封腔(110)和第二真空密封腔(106)。所述第一真空密封腔(110)在所述悬挂式有源元件(108)的位置处延伸到所述牺牲层(102)中。所述第二真空密封腔(106)包括所述支撑层(104)的开口，键合的第二晶片封闭所述开口。所述热探测器还包括使辐射从外部进入所述第一真空密封腔和所述第二真空密封腔中的前部光学器件(120)，设置为将辐射反射回所述第一真空密封腔和第二真空密封腔中的另一个的后部反射器(112)，以及用于将悬挂式有源元件与读出电路(118)连接的电连接(114)。
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