热探测器及热探测器阵列

    公开(公告)号:CN111356907B

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN201880070853.9

    申请日:2018-08-31

    Abstract: 晶片级集成热探测器,包括键合在一起的第一晶片和第二晶片(W1,W2)。所述第一晶片(W1)包括电介质的或半导体的基板(100),沉积在所述基板上的电介质的牺牲层(102),沉积在所述牺牲层或基板上的支撑层(104),在所述支撑层中的开口(106)内设有悬挂式有源元件(108),位于所述悬挂式有源元件对侧的第一真空密封腔(110)和第二真空密封腔(106)。所述第一真空密封腔(110)在所述悬挂式有源元件(108)的位置处延伸到所述牺牲层(102)中。所述第二真空密封腔(106)包括所述支撑层(104)的开口,键合的第二晶片封闭所述开口。所述热探测器还包括使辐射从外部进入所述第一真空密封腔和所述第二真空密封腔中的前部光学器件(120),设置为将辐射反射回所述第一真空密封腔和第二真空密封腔中的另一个的后部反射器(112),以及用于将悬挂式有源元件与读出电路(118)连接的电连接(114)。

    微机电(MEMS)法布里-珀罗干涉仪、其制造装置和方法

    公开(公告)号:CN110809711A

    公开(公告)日:2020-02-18

    申请号:CN201880043636.0

    申请日:2018-06-29

    Abstract: 一种微机电(MEMS)法布里-珀罗干涉仪(100),包括透明基板(110);第一金属镜结构(120),其位于透明基板(110)上,包括第一金属层(121)和第一支撑层(122-123);第二金属镜结构(130),考虑到透明基板(110),该第二金属镜结构(130)位于第一金属镜结构(120)的相对侧上,在第一金属镜结构(120)上方,第二金属镜结构(130)包括第二金属层(131)和第二支撑层(132-133),其中第一支撑层(122-123)和第二支撑层(132-133)平行并且包括氧化铝或二氧化钛中的至少一种;法布里-珀罗腔(140),其位于第一支撑层(122-123)与第二支撑层(132-133)之间,其中法布里-珀罗腔(140)通过在第一镜结构(120)上提供绝缘层(141)并且在提供第二镜结构(130)之后至少部分移除绝缘层(141)而形成;电极(150-151),其用于提供到第一金属层(121)和第二金属层(131)的电接触。

    微机电(MEMS)法布里-珀罗干涉仪、其制造装置和方法

    公开(公告)号:CN119197765A

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202411347897.5

    申请日:2018-06-29

    Abstract: 一种微机电(MEMS)法布里‑珀罗干涉仪(100),包括透明基板(110);第一金属镜结构(120),其位于透明基板(110)上,包括第一金属层(121)和第一支撑层(122‑123);第二金属镜结构(130),考虑到透明基板(110),该第二金属镜结构(130)位于第一金属镜结构(120)的相对侧上,在第一金属镜结构(120)上方,第二金属镜结构(130)包括第二金属层(131)和第二支撑层(132‑133),其中第一支撑层(122‑123)和第二支撑层(132‑133)平行并且包括氧化铝或二氧化钛中的至少一种;法布里‑珀罗腔(140),其位于第一支撑层(122‑123)与第二支撑层(132‑133)之间,其中法布里‑珀罗腔(140)通过在第一镜结构(120)上提供绝缘层(141)并且在提供第二镜结构(130)之后至少部分移除绝缘层(141)而形成;电极(150‑151),其用于提供到第一金属层(121)和第二金属层(131)的电接触。

    热探测器及热探测器阵列

    公开(公告)号:CN111356907A

    公开(公告)日:2020-06-30

    申请号:CN201880070853.9

    申请日:2018-08-31

    Abstract: 晶片级集成热探测器,包括键合在一起的第一晶片和第二晶片(W1,W2)。所述第一晶片(W1)包括电介质的或半导体的基板(100),沉积在所述基板上的电介质的牺牲层(102),沉积在所述牺牲层或基板上的支撑层(104),在所述支撑层中的开口(106)内设有悬挂式有源元件(108),位于所述悬挂式有源元件对侧的第一真空密封腔(110)和第二真空密封腔(106)。所述第一真空密封腔(110)在所述悬挂式有源元件(108)的位置处延伸到所述牺牲层(102)中。所述第二真空密封腔(106)包括所述支撑层(104)的开口,键合的第二晶片封闭所述开口。所述热探测器还包括使辐射从外部进入所述第一真空密封腔和所述第二真空密封腔中的前部光学器件(120),设置为将辐射反射回所述第一真空密封腔和第二真空密封腔中的另一个的后部反射器(112),以及用于将悬挂式有源元件与读出电路(118)连接的电连接(114)。

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