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公开(公告)号：CN117810075A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311178203.5
申请日：2023-09-13
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种在将组成元素不同的层层叠，并对包含其中一种元素的层进行各向同性蚀刻的情况下可提高相对于另一种元素而言的其中一种元素的选择比的半导体装置的制造方法及等离子体处理装置。制造方法包括如下工序：在层叠体的包含侧面的表面形成保护膜，层叠体层叠有第一层以及组成元素与第一层不同的第二层；以及对形成有保护膜的层叠体进行各向同性蚀刻。形成保护膜的工序是使用利用等离子体激励第一气体并使其活化而生成的第一自由基来进行。对层叠体进行各向同性蚀刻的工序是使用利用等离子体激励与第一气体不同的第二气体并使其活化而生成的第二自由基来进行。形成保护膜的工序与对层叠体进行各向同性蚀刻的工序是在相同的气氛内进行。
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