-
公开(公告)号：CN101432841A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015094.8
申请日：2007-04-13
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/12 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/12 , H01J2237/022 , H01J2237/049
Abstract: 一种用于离子植入作业的聚焦粒子捕捉系统(200)，此系统可在植入之前先从离子束(202)移除不希望的粒子(222)。入口电极(204)包括进入孔(206)，并被偏压至第一基底电压。中央电极(208)位于该入口电极下游而距其有距离处，并且包括中央孔。该中央电极被偏压至小于该第一基底电压的负值。出口电极(212)位于该中央电极下游而与其具有距离，并且包括出口孔(214)。该出口电极被偏压至第二基底电压。产生从该入口电极朝向该中央电极第一静电场(218)，和产生从该出口电极朝向该中央电极的第二静电场(220)，藉此捕捉在离子束内不想要的粒子。
-
公开(公告)号：CN101421815B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200680048644.1
申请日：2006-12-20
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
Inventor： 布莱恩·弗瑞尔
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/244 , H01J37/304 , H01J2237/24507 , H01J2237/24528 , H01J2237/24578
Abstract: 本发明涉及一种用于在离子注入期间测量离子束入射角的角度测量系统，包括变角度狭槽阵列和位于变角度狭槽阵列下游的电荷测量器件阵列。变角度狭槽阵列包括形成在结构中从入射表面到出射表面的狭槽。每一个狭槽具有变化的接收角范围。电荷测量器件阵列个别地与狭槽相关，且能测量穿过狭槽的细光束的电荷或电子束电流。这些测量结果以及变化的或不同的接收角范围随后能被应用于确定离子束的测量出的入射角和/或角度内容。
-
公开(公告)号：CN101432841B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN200780015094.8
申请日：2007-04-13
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/12 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/12 , H01J2237/022 , H01J2237/049
Abstract: 一种用于离子植入作业的聚焦粒子捕捉系统，此系统可在植入之前先从离子束移除不希望的粒子。入口电极包括进入孔，并被偏压至第一基底电压，其中入口电极包括平坦的第一表面和面向中央电极的凹入第二表面。中央电极位于该入口电极下游而距其有距离处，并且包括中央孔。该中央电极被偏压至小于该第一基底电压的负值。出口电极位于该中央电极下游而与其具有距离，并且包括出口孔。该出口电极被偏压至第二基底电压。产生从该入口电极朝向该中央电极第一静电场，和产生从该出口电极朝向该中央电极的第二静电场，藉此捕捉在离子束内不想要的粒子。
-
公开(公告)号：CN101421815A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200680048644.1
申请日：2006-12-20
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
Inventor： 布莱恩·弗瑞尔
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/244 , H01J37/304 , H01J2237/24507 , H01J2237/24528 , H01J2237/24578
Abstract: 本发明涉及一种用于在离子注入期间测量离子束入射角的角度测量系统，包括变角度狭槽阵列和位于变角度狭槽阵列下游的电荷测量器件阵列。变角度狭槽阵列包括形成在结构中从入射表面到出射表面的狭槽。每一个狭槽具有变化的接收角范围。电荷测量器件阵列个别地与狭槽相关，且能测量穿过狭槽的细光束的电荷或电子束电流。这些测量结果以及变化的或不同的接收角范围随后能被应用于确定离子束的测量出的入射角和/或角度内容。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.035 seconds)
