公开(公告)号：CN104584191A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201380040947.9

申请日：2013-07-24

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 楢原和宏 ,  增田纯久

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C30B25/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/16 ,  Y10T428/24488

Abstract: [课题]提供一种周边部的平坦度高的外延硅晶片的制造方法以及由此得到的外延硅晶片。[解决方法]一种外延硅晶片的制造方法，其特征在于，在硅晶片2的顶面23上形成外延层3，所述硅晶片2的顶面23的面取向为（100）面或（110）面，顶面23侧的端部的倒角宽度A1为200μm以下。

公开(公告)号：CN118248587A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311788592.3

申请日：2023-12-22

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 桥井友裕 ,  吉原司 ,  吉冈康则 ,  川人进一 ,  增田纯久

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供容易抑制晶圆的分离不良的晶圆分离装置及方法以及硅晶圆的制造方法。晶圆分离装置(1)具有喷射口(2)、滚动体(3)、保持体(4)，前述喷射口(2)喷射流体，前述保持体(4)将滚动体(3)以能够滚动且能够一体移动的方式保持，能够往复动作，被向往复动作方向的一侧施力，与喷射口(2)一体地相连。

公开(公告)号：CN104584191B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201380040947.9

申请日：2013-07-24

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 楢原和宏 ,  增田纯久

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C30B25/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/16 ,  Y10T428/24488

Abstract: [课题]提供一种周边部的平坦度高的外延硅晶片的制造方法以及由此得到的外延硅晶片。[解决方法]一种外延硅晶片的制造方法，其特征在于，在硅晶片2的顶面23上形成外延层3，所述硅晶片2的顶面23的面取向为（100）面或（110）面，顶面23侧的端部的倒角宽度A1为200μm以下。