公开(公告)号：CN106409889B

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN201510467637.6

申请日：2015-08-03

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 陆俊岑 ,  赖建铭 ,  周禄盛 ,  蔡雅卉 ,  邱靖翔 ,  萧有彤 ,  黄振铭 ,  李昆儒 ,  王裕平

IPC: H01L29/423

Abstract: 本发明公开一种半导体元件，其包含一基底以及一栅极结构设于基底上，其中栅极结构包含一高介电常数介电层设于基底上以及一底部金属阻隔层设于高介电常数介电层上，该底部金属阻隔层包含一上半部、一中半部以及一下半部，且上半部为一富氮部分而中半部及下半部各为一富钛部分。

公开(公告)号：CN106409889A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201510467637.6

申请日：2015-08-03

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 陆俊岑 ,  赖建铭 ,  周禄盛 ,  蔡雅卉 ,  邱靖翔 ,  萧有彤 ,  黄振铭 ,  李昆儒 ,  王裕平

IPC: H01L29/423

CPC classification number: H01L29/66545 ,  B32B1/00 ,  B32B18/00 ,  C22C32/0068 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/511

Abstract: 本发明公开一种半导体元件，其包含一基底以及一栅极结构设于基底上，其中栅极结构包含一高介电常数介电层设于基底上以及一底部金属阻隔层设于高介电常数介电层上，该底部金属阻隔层包含一上半部、一中半部以及一下半部，且上半部为一富氮部分而中半部及下半部各为一富钛部分。