公开(公告)号：CN114639731A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202011477204.6

申请日：2020-12-15

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 苏士炜 ,  冯皓哲 ,  许轩台 ,  陈俊宇 ,  黄伟豪 ,  蔡滨祥 ,  简廷安

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开一种制作半导体元件的方法。首先形成一鳍状结构于基底上，然后形成一介电层环绕该鳍状结构，进行一退火制作工艺将该介电层转换为浅沟隔离，去除鳍状结构以形成一凹槽，形成一堆叠结构于该凹槽内，其中该堆叠结构包含一第一半导体层设于该鳍状结构上以及一第二半导体层设于该第一半导体层上，且第一半导体层与第二半导体层包含不同材料。

公开(公告)号：CN119698027A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202311312104.1

申请日：2023-10-11

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 江俊霆 ,  许田昇 ,  林伯璋 ,  郭龙恩 ,  冯皓哲 ,  黄秉纬

IPC: H10D30/60 ,  H10D62/10

Abstract: 本发明公开一种半导体组件，其主要包含一第一鳍状结构以及一第二鳍状结构设于基底上、一凸块设于该第一鳍状结构以及该第二鳍状结构之间、一第一凹槽设于第一鳍状结构与凸块之间以及一第二凹槽设于第二鳍状结构与凸块之间。其中凸块顶表面包含一上凹曲面，凸块宽度大于第一鳍状结构宽度两倍以上，且凸块高度小于第一鳍状结构高度的四分之一。