公开(公告)号：CN101978435B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN200980110672.5

申请日：2009-02-17

Applicant: 美国超能公司

Inventor： R·N·巴塔察里亚 ,  张珣 ,  V·塞尔瓦曼尼克姆

IPC: H01B12/00

CPC classification number: H01L39/247

Abstract: 一种形成超导制品的方法，该方法包括提供基材带，形成覆盖在该基材带上的超导层，沉积覆盖在超导层上的覆层。所述覆层包含贵金属，其厚度不大于约1.0微米。该方法还包括使用对超导层非反应性的溶液，将该溶液电沉积覆盖在覆层上形成稳定层。超导层具有形成后的临界电流IC(AF)和稳定后的临界电流IC(PS)。IC(PS)至少约为IC(AF)的95％。

公开(公告)号：CN101978435A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200980110672.5

申请日：2009-02-17

Applicant: 美国超能公司

Inventor： R·N·巴塔察里亚 ,  张珣 ,  V·塞尔瓦曼尼克姆

IPC: H01B12/00

CPC classification number: H01L39/247

Abstract: 一种形成超导制品的方法，该方法包括提供基材带，形成覆盖在该基材带上的超导层，沉积覆盖在超导层上的覆层。所述覆层包含贵金属，其厚度不大于约1.0微米。该方法还包括使用对超导层非反应性的溶液，将该溶液电沉积覆盖在覆层上形成稳定层。超导层具有形成后的临界电流IC(AF)和稳定后的临界电流IC(PS)。IC(PS)至少约为IC(AF)的95％。