制备含硅陶瓷结构的方法

    公开(公告)号:CN101983171A

    公开(公告)日:2011-03-02

    申请号:CN200980111857.8

    申请日:2009-03-31

    CPC classification number: B81C1/00166 B81B2207/07 C04B35/589 Y10T428/265

    Abstract: 本发明涉及一种制备含硅陶瓷结构(3)的方法,其中,在基质(2)的表面上提供陶瓷前体聚合物结构(1),其中,所述陶瓷前体聚合物选自聚硅氧烷、聚碳硅烷、聚硅氮烷和/或聚脲硅氮烷,并且其中,所述陶瓷前体结构(1)在基材(2)上被陶瓷化。在本发明方法中,所述陶瓷前体聚合物结构(1)的高度≤20μm,并且垂直于其纵轴(a,a′)的宽度≤500μm。本发明还涉及根据本发明获得的含硅陶瓷结构(3)以及包含这种结构的传感器。

    制备前体陶瓷的方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1829669A

    公开(公告)日:2006-09-06

    申请号:CN200480021443.3

    申请日:2004-05-12

    Inventor: M·克内

    CPC classification number: B82Y30/00 C04B35/80

    Abstract: 本发明提供了一种通过热解元素有机前体聚合物制备前体陶瓷的方法。由此将碳纳米管连结到前体陶瓷上且所述连结通过下面方式进行,即调节在元素有机前体聚合物分解时形成的游离碳的量,使得在前体陶瓷中存在化学计量的或者适当低于化学计量的碳含量。

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