公开(公告)号：CN101036233A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200580034072.7

申请日：2005-09-12

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： 皮特·费洛斯 ,  阿尔弗雷德·格拉赫 ,  皮特·乌尔巴赫 ,  沃尔夫冈·法伊勒 ,  曲宁 ,  克劳斯·埃耶斯

IPC: H01L29/8605 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L28/20 ,  G01K7/22 ,  H01L27/0802 ,  H01L29/8605 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明说明了一种半导体器件以及一种用于制造这种半导体器件的方法，该半导体器件具有这样的电阻特性，即强地与温度相关。该电阻特性通过半导体器件的特殊的多层结构来得到，其中一层这样地构造，即例如在n掺杂的区域中有多个p掺杂的区域，它们在一个侧面上借助金属化层被短路。该半导体器件可以例如被用于减小电流峰值，其中该器件随后被集成到导体中。在冷的状态中，该半导体器件具有高的电阻，该电阻在半导体器件由于流过的电流被加热之后显著地变小。

公开(公告)号：CN101091260A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200580037812.2

申请日：2005-10-21

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·格拉赫 ,  曲宁

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/861 ,  H01L29/866

CPC classification number: H01L29/66143 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725

Abstract: 本发明涉及包括一个带有集成的PN二极管的沟槽－结－势垒－肖特基二极管的半导体装置(30)及其制造方法。

公开(公告)号：CN101091260B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200580037812.2

申请日：2005-10-21

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·格拉赫 ,  曲宁

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/861 ,  H01L29/866

CPC classification number: H01L29/66143 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725

Abstract: 本发明涉及包括一个带有集成的PN二极管的沟槽-结-势垒-肖特基二极管的半导体装置(30)及其制造方法。

公开(公告)号：CN101036233B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200580034072.7

申请日：2005-09-12

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： 皮特·费洛斯 ,  阿尔弗雷德·格拉赫 ,  皮特·乌尔巴赫 ,  沃尔夫冈·法伊勒 ,  曲宁 ,  克劳斯·埃耶斯

IPC: H01L29/8605 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L28/20 ,  G01K7/22 ,  H01L27/0802 ,  H01L29/8605 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明说明了一种半导体器件以及一种用于制造这种半导体器件的方法，该半导体器件具有这样的电阻特性，即强地与温度相关。该电阻特性通过半导体器件的特殊的多层结构来得到，其中一层这样地构造，即例如在n掺杂的区域中有多个p掺杂的区域，它们在一个侧面上借助金属化层被短路。该半导体器件可以例如被用于减小电流峰值，其中该器件随后被集成到导体中。在冷的状态中，该半导体器件具有高的电阻，该电阻在半导体器件由于流过的电流被加热之后显著地变小。