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公开(公告)号：CN115752526A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211069348.7
申请日：2022-09-02
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: G01D5/48
Abstract: 本发明涉及一种声转换器(1a、1b、1c、1d)，具有隔膜罐(16)和转换器元件(4)。所述隔膜罐(16)具有隔膜(2)和壁(3)。所述隔膜(2)布置在所述隔膜罐(16)的底部并且所述隔膜罐(16)的壁(3)形成所述隔膜罐(16)的内部空间(6)。转换器元件(4)布置在所述隔膜罐(16)的隔膜(2)上。所述声转换器(4)附加地具有至少一个加强元件(5a)，该加强元件布置在所述隔膜罐(16)的内部空间(6)中并且至少部分地与所述隔膜罐(16)的壁(3)连接。所述加强元件(5a)构造和/或布置在所述隔膜罐(16)的内部空间(6)中，使得所述声转换器(1a)至少具有第一谐振工作点和第二谐振工作点。
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公开(公告)号：CN115315744A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180024492.6
申请日：2021-03-17
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明涉及一种膜片罐形件(1a)、特别是用于声换能器。所述膜片罐形件(1a)具有膜片(3)和壁部(6a，6b)，其中，所述膜片罐形件(1a)的膜片(3)和壁部(6a，6b)一件式地构造为塑料构件、特别是纤维塑料复合构件。附加地，所述膜片罐形件(1a)具有至少两个电连接元件(8a，8b)用于电连接所述声换能器的换能器元件(2)、特别是压电换能器元件与电路板。所述至少两个电连接元件(8a，8b)集成到所述膜片罐形件(1a)、特别是所述膜片罐形件(1a)的壁部(6a，6b)中。
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公开(公告)号：CN107026140B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201611271992.7
申请日：2016-11-09
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/50
Abstract: 半导体芯片包括具有第一主延伸方向和第二主延伸方向的半导体元器件，第一主延伸方向和第二主延伸方向形成垂直于半导体芯片的堆叠方向布置的主延伸平面，在半导体元器件上直接布置可焊接的第一和第二金属区域及介电区域，第一金属区域和第二金属区域由介电区域电分离，第二金属区域沿第一主延伸方向与第一金属区域相距第一间距，其特征是，在第一金属区域上布置未焊接状态下具有至少相当于第一间距的三倍的第四层厚度的第一焊料，在第一焊料上布置第三金属区域，第三金属区域沿第一主延伸方向与半导体元器件的边缘相距相当于未焊接状态下的第一焊料的第四层厚度的至少5倍的第三间距，第一、第二、第三金属区域和第一焊料材料锁合连接。
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公开(公告)号：CN111133502A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201880062203.X
申请日：2018-07-30
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明提出一种尤其用于超声传感器的声换能器(1)，该声换能器具有壳体(5)、至少一个解耦元件(9a)和功能组(2)。在此，所述功能组(2)具有膜片罐形件(7)和至少一个电声的换能器元件(3)。所述膜片罐形件(7)包括能振动的膜片(8)和环绕的壁(6)以及至少一个电声的换能器元件(3)，其中，换能器元件(3)构造成用于激励所述膜片(8)产生振动和/或将所述膜片(8)的振动转换成电信号。所述膜片罐形件(7)和所述壳体(5)的至少一部分由塑料材料构造。所述解耦元件(9a)构造成用于使所述膜片罐形件(7)和/或所述壳体(5)的所述至少一部分与所述声换能器(1)的外部环境在振动机械方面解耦。根据本发明，所述解耦元件(9a)集成在所述膜片罐形件(7)、尤其是所述膜片罐形件(7)的所述壁(6)和/或所述壳体(5)的所述至少一部分中。
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公开(公告)号：CN110545928A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880023296.5
申请日：2018-03-23
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 根据本发明提出一种尤其用于超声传感器的声换能器(1)。所述声换能器(1)具有功能组(2)，其中，所述功能组(2)包括膜片罐形件(6)和至少一个电声换能器元件(3)。所述声换能器还具有壳体(5)。所述膜片罐形件(6)具有可振动膜片(8)、壁(7)以及至少一个电声换能器元件(3)，其中，所述换能器元件(3)构造用于激励所述膜片进行振动和/或将所述膜片的振动转换成电信号。所述膜片罐形件由塑料材料构成，其中，根据本发明，所述至少一个换能器元件集成到可振动膜片中，其中，所述换能器元件具有电活性聚合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110326039A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201880013571.5
申请日：2018-02-12
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明提出一种声换能器(1)，包括膜片罐形件(3)、换能器元件(16)和壳体，其中，所述膜片罐形件(3)具有膜片(2)和壁(4)。所述膜片罐形件(3)的所述膜片(2)、所述壁(4)和至少一个壳体部分(6)一件式地构型为纤维塑料复合构件(7)，其中，所述纤维塑料复合构件(7)的至少一个第一区域(10)是以纤维增强的并且所述纤维塑料复合构件(7)的至少一个第二区域(11)是无纤维的，使得在所述纤维塑料复合构件(7)中的波在从所述至少一个第一区域(10)至所述至少一个第二区域(11)的过渡部处至少部分地被反射。
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公开(公告)号：CN109004034A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810580650.6
申请日：2018-06-07
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor： A·格拉赫
IPC: H01L29/861
CPC classification number: H01L29/861 , H01L21/3043 , H01L21/78 , H01L29/0657 , H01L29/0688 , H01L29/36
Abstract: 本发明涉及一种半导体二极管，具有板形半导体元件(1)，所述板形半导体元件具有上侧(2)、下侧(3)和边缘(4)，其中，边缘(4)构造为直线。上侧(2)设置有连续的p掺杂层(11)并且下侧(3)设置有连续的强n掺杂层(12)。在强n掺杂层(12)和p掺杂层(11)之间布置有弱n掺杂层(13)和中等强度n掺杂层(14)。边缘(4)具有边缘沟槽(21)，在边缘沟槽中，板形半导体元件(1)的厚度减小。在边缘沟槽(21)的区域中，所述p掺杂层(11)直接接触所述弱n掺杂层(13)。从所述下侧(3)开始引入另外的沟槽(23)，所述另外的沟槽定向为不平行于所述边缘沟槽(21)。
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公开(公告)号：CN108367315A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680072526.8
申请日：2016-10-28
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明提出一种声换能器组件(100)，包括具有多个贯通开口(111)的孔板承载件(101)，多个压电元件(104)，其中，每个压电元件(104)具有一个第一电极(105)和一个第二电极(106)，所述第一电极(105)与所述第二电极(106)相对置，并且压电元件(104)分别布置在贯通开口(111)内部，和封闭层(103)，其中，所述封闭层(103)布置在所述孔板承载件(101)和所述压电元件(104)上方，其中，所述压电元件(104)的所述第二电极(106)与所述封闭层(103)导电地连接，其特征在于，所述孔板承载件(101)在横向上在两个贯通开口(111)之间具有至少两个相互平行地间隔开布置的接片(102、117)，并且所述封闭层(103)分别与直接邻接于所述贯通开口(111)的所述接片(102)具有第一连接区域(108)。
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公开(公告)号：CN105957901A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610130285.X
申请日：2016-03-08
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: H01L29/872
CPC classification number: H01L27/0814 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/1608 , H01L29/20 , H01L29/47 , H01L29/475 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及具有沟槽‑肖特基‑势垒‑肖特基‑二极管的半导体装置(10)，其具有：第一导电类型的半导体体积(12)，所述半导体体积(12)具有敷设有金属层(14)的第一侧(16)以及至少一个在所述第一侧(16)中延伸并且至少部分地填充有金属的槽沟(18)。根据本发明，槽沟(18)的至少一个壁区段(56)和/或敷设有所述金属层(14)的第一侧(16)的位于所述槽沟(18)旁的至少一个区域(24)通过位于金属层(14)和半导体体积(12)之间的、由第二导电类型的第一半导体材料(26)制成的层分开。
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公开(公告)号：CN105957864A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610130291.5
申请日：2016-03-08
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L21/77 , H01L29/872 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/66143 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/1608 , H01L29/20 , H01L29/872 , H01L27/02 , H01L21/77 , H01L29/8725
Abstract: 本发明涉及一种具有沟槽型MOS势垒肖特基二极管的半导体装置(10)，其具有：第一导电类型的半导体体积(12)，所述半导体体积(12)具有敷设有金属层(14)的第一侧(16)和在所述第一侧(16)中延伸的并且至少部分地以金属(14、14a)和/或以第二导电类型的半导体材料(40；41)填充的至少一个槽沟(18)，其中，所述槽沟(18)具有至少一个壁区段(20)，所述至少一个壁区段至少局部地具有氧化物层(22)。根据本发明，位于所述槽沟(18)旁的、敷设有所述金属层(14)的第一侧(16)的至少一个区域(24)具有位于所述金属层(14)和所述半导体体积(12)之间的、由所述第二导电类型的第一半导体材料(26)制成的层。
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