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公开(公告)号：CN114142875A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111313739.4
申请日：2021-11-08
Applicant: 网络通信与安全紫金山实验室 , 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种毫米波相控阵发射组件及装置，其中相控阵发射组件包括：多层的射频板；FPGA控制单元，设置在所述射频板的一侧表面，与射频发射单元电连接，用于控制天线单元极化的幅度以及相位的权值；天线阵列，设置在所述射频板的另一侧，所述天线阵列包括多个天线单元，所述多个天线单元采用双线极化的方式设置，每个天线单元通过馈电金属孔与所述射频发射单元的两个且独立的发射通道电连接；通过在射频板的一侧设置天线阵列，另一侧设置射频发射单元，两者之间通过馈电金属孔进行馈电，通过FPGA控制射频发射单元各通道输出射频信号的幅度和相位，能够兼顾毫米波电路布局及加工同时实现阵列的多极化、多波束、宽角扫描。
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公开(公告)号：CN114142875B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202111313739.4
申请日：2021-11-08
Applicant: 网络通信与安全紫金山实验室 , 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种毫米波相控阵发射组件及装置，其中相控阵发射组件包括：多层的射频板；FPGA控制单元，设置在所述射频板的一侧表面，与射频发射单元电连接，用于控制天线单元极化的幅度以及相位的权值；天线阵列，设置在所述射频板的另一侧，所述天线阵列包括多个天线单元，所述多个天线单元采用双线极化的方式设置，每个天线单元通过馈电金属孔与所述射频发射单元的两个且独立的发射通道电连接；通过在射频板的一侧设置天线阵列，另一侧设置射频发射单元，两者之间通过馈电金属孔进行馈电，通过FPGA控制射频发射单元各通道输出射频信号的幅度和相位，能够兼顾毫米波电路布局及加工同时实现阵列的多极化、多波束、宽角扫描。
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公开(公告)号：CN114865316A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210156704.2
申请日：2022-02-21
Applicant: 网络通信与安全紫金山实验室
Abstract: 本发明公开关于集成化毫米波有源相控阵天线控制系统及控制方法，所述系统包括：波束控制信号生成模块，所述波束控制信号生成模块生成当前TR组件的校准幅值和校准相位差，将所述校准幅值和校准相位差转换为TR组件的控制码；控制码输出模块，所述控制码输出模块将所述控制码发送给对应的TR组件实现所述TR组件中阵元的移相及调幅，所述TR组件包括天线单元。该控制系统及方法通过接收上位机或者端机传输的控制参数，在FPGA中实现毫米波有源集成化相控阵天线波束扫描。
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公开(公告)号：CN115296704B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202111639053.4
申请日：2021-12-29
Applicant: 网络通信与安全紫金山实验室
IPC: H04B7/0408 , H04B7/06
Abstract: 本发明公开分布式毫米波有源相控阵天线控制系统及控制方法，系统包括用于生成波束控制指令以及本振混频频率源的主控模块，所述系统还包括：至少一个子阵控制模块，接收所述主控模块的波束控制指令和本振混频频率源，基于所述波束控制指令以及本振混频频率源生成当前TR组件的校准幅值和校准相位差，将所述校准幅值和校准相位差转换为TR组件的控制码实现所述TR组件中阵元的移相及调幅，所述TR组件包括天线单元。本申请技术方案通过接收上位机或者端机传输的控制参数，在FPGA中实现毫米波有源集成化相控阵天线波束扫描。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115296704A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202111639053.4
申请日：2021-12-29
Applicant: 网络通信与安全紫金山实验室
IPC: H04B7/0408 , H04B7/06
Abstract: 本发明公开分布式毫米波有源相控阵天线控制系统及控制方法，系统包括用于生成波束控制指令以及本振混频频率源的主控模块，所述系统还包括：至少一个子阵控制模块，接收所述主控模块的波束控制指令和本振混频频率源，基于所述波束控制指令以及本振混频频率源生成当前TR组件的校准幅值和校准相位差，将所述校准幅值和校准相位差转换为TR组件的控制码实现所述TR组件中阵元的移相及调幅，所述TR组件包括天线单元。本申请技术方案通过接收上位机或者端机传输的控制参数，在FPGA中实现毫米波有源集成化相控阵天线波束扫描。
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公开(公告)号：CN110396156A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910607865.7
申请日：2019-07-08
Applicant: 东南大学
IPC: C08F281/00 , C08F220/54 , C08F220/34 , C08F238/00
Abstract: 本发明是一种刺激响应型螺旋聚炔红外辐射材料，该材料由含溴炔烃共聚物与两亲性含双键单体通过原子转移自由基聚合得到，其结构通式为： 其中R1为中的一种；聚合度m为1～1000的整数、n为1～1000的整数、q为1～1000的整数。本发明将含溴炔烃共聚物与两亲性含双键单体通过原子转移自由基聚合方法，制备了不同刺激响应的刺激响应型螺旋聚炔红外辐射材料，通过温度、pH的改变实现了8～14μm波段的低红外发射率调控。同时，该材料制备工艺简便，反应条件温和，材料具有良好的热稳定性和红外辐射性能调控性。
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公开(公告)号：CN111892910B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202010645480.2
申请日：2020-07-07
Applicant: 东南大学
IPC: C09K3/00
Abstract: 本发明为一种基于螺旋聚炔的红外微波兼容隐身复合材料及其制备方法，该复合材料是由含手性胆酸取代基的炔丙胺单体在核壳型导电聚合物/双金属镍基氧化物纳米材料表面原位聚合成螺旋聚炔而成的复合物，核壳型导电聚合物/双金属镍基氧化物纳米材料是由胺类导电聚合物单体在双金属镍基氧化物表面自聚合而成，双金属镍基氧化物是由第三主族金属盐与硝酸镍经水热反应并高温焙烧制得，含手性胆酸取代基的炔丙胺单体原位聚合成的螺旋聚炔的结构通式为：聚合度n为500～3000；该聚炔的热分解温度为200℃～450℃、室温下的比旋光度绝对值为5°～70°。
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公开(公告)号：CN111892910A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010645480.2
申请日：2020-07-07
Applicant: 东南大学
IPC: C09K3/00
Abstract: 本发明为一种基于螺旋聚炔的红外微波兼容隐身复合材料及其制备方法，该复合材料是由含手性胆酸取代基的炔丙胺单体在核壳型导电聚合物/双金属镍基氧化物纳米材料表面原位聚合成螺旋聚炔而成的复合物，核壳型导电聚合物/双金属镍基氧化物纳米材料是由胺类导电聚合物单体在双金属镍基氧化物表面自聚合而成，双金属镍基氧化物是由第三主族金属盐与硝酸镍经水热反应并高温焙烧制得，含手性胆酸取代基的炔丙胺单体原位聚合成的螺旋聚炔的结构通式为：聚合度n为500～3000；该聚炔的热分解温度为200℃～450℃、室温下的比旋光度绝对值为5°～70°。
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公开(公告)号：CN110396156B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201910607865.7
申请日：2019-07-08
Applicant: 东南大学
IPC: C08F281/00 , C08F220/54 , C08F220/34 , C08F238/00
Abstract: 本发明是一种刺激响应型螺旋聚炔红外辐射材料，该材料由含溴炔烃共聚物与两亲性含双键单体通过原子转移自由基聚合得到，其结构通式为：R1为或聚合度m为1～1000的整数、n为1～1000的整数、q为1～1000的整数。本发明将含溴炔烃共聚物与两亲性含双键单体通过原子转移自由基聚合方法，制备了不同刺激响应的刺激响应型螺旋聚炔红外辐射材料，通过温度、pH的改变实现了8～14μm波段的低红外发射率调控。同时，该材料制备工艺简便，反应条件温和，材料具有良好的热稳定性和红外辐射性能调控性。
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