非晶态CrSiCN涂层及其制备方法、应用、导电膜和电子设备

    公开(公告)号:CN111850486B

    公开(公告)日:2022-07-12

    申请号:CN202010567004.3

    申请日:2020-06-19

    Inventor: 王强 晏柱 薛涛

    Abstract: 本发明涉及一种非晶态CrSiCN涂层及其制备方法、应用和导电膜;其中,非晶态CrSiCN涂层的制备方法中,真空条件下,采用CrSi合金靶为靶材,通入惰性气体、C2H2和N2,进行气相沉积,得到非晶态CrSiCN涂层;其中,所述气相沉积采用离子源辅助沉积。该方法能避免形成具有柱状形貌的晶态CrSiCN,且采用离子源辅助沉积能进一步提高膜层致密性,使涂层结构紧致,进一步提高了涂层的耐腐蚀性、耐磨性和硬度;制得的非晶态CrSiCN涂层应用于各类电子设备,能提高其耐磨、耐防腐性能和硬度,进而提高其使用寿命。

    减反射膜、制备方法、减反射光学制品及应用

    公开(公告)号:CN111999785A

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN202010698729.6

    申请日:2020-07-20

    Inventor: 晏柱 薛涛 王强

    Abstract: 本发明公开了一种减反射膜、制备方法、减反射光学制品及应用。该减反射膜包括交替层叠设置的低折射率膜层和高折射率膜层,低折射率膜层的折射率低于所述高折射率膜层;减反射膜的底部膜层和顶部膜层均为低折射率膜层;设置于顶部膜层下的高折射率膜层是氮化硅膜层,厚度为500nm~2000nm;减反射膜具有11GPa以上的纳米硬度,在400nm~700nm波段范围内的透光率在94%以上。上述减反射光学膜将位于顶部膜层下的高折射率膜层设计为氮化硅层,并大大增加其厚度,能够在保证透光率的前提下有效提高减反射光学制品的纳米硬度。

    复合镀金薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN107313013A

    公开(公告)日:2017-11-03

    申请号:CN201710482095.9

    申请日:2017-06-22

    Inventor: 王强

    Abstract: 本发明涉及一种复合镀金薄膜及其制备方法。该复合镀金薄膜包括:层叠于基材表面的金属打底层;层叠于所述金属打底层之上的第一过渡层,该第一过渡层的材料为TiN/TiCN;层叠于所述第一过渡层之上的第二过渡层,该第二过渡层的材料为TiN/Au;层叠于所述第二过渡层之上的镀金层。本发明的复合镀金薄膜,能够较现有技术显著提高镀金层与其余层之间的结合力,不易磨损,经测试具有高亮度、耐温、耐腐蚀、耐磨的优点,满足对镀金薄膜性能和色彩两方面的要求。

    耐腐蚀薄膜及其制备方法和应用
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115976466A

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202211687737.6

    申请日:2022-12-27

    Abstract: 本发明涉及装饰镀技术领域,尤其是涉及一种耐腐蚀薄膜及其制备方法和应用。耐腐蚀薄膜,包括基材;设置于所述基材的一侧上的打底层;设置于所述打底层上的过渡层;以及设置于所述过渡层上的颜色层;所述打底层为Cr层、Ti层或TiCr层;所述过渡层为SiCrC层或SiTiC层;所述颜色层为WC层。所述WC层是采用跳气模式沉积得到的。本发明的薄膜既能够满足高端装饰行业公司对黑度提出的要求,还具有优异的耐腐蚀性能等。

    装饰薄膜及其制备方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115961242A

    公开(公告)日:2023-04-14

    申请号:CN202211686211.6

    申请日:2022-12-27

    Abstract: 本发明涉及一种装饰薄膜及其制备方法。装饰薄膜包括金属打底层、第一过渡层以及颜色层。第一过渡层设置在~金属打底层上,~第一过渡层的材料为金属碳化物、金属氮化物及金属碳氮化物中的至少一种。颜色层设置在~第一过渡层远离~金属打底层的一侧,~颜色层的材料为硅氧化物,~硅氧化物中氧原子的摩尔含量为40%~55%。金属打底层赋予装饰薄膜良好的光泽度和金属质感,第一过渡层相较于金属打底层还含有C元素、N元素中的至少一种,能够增大装饰薄膜整体的电阻,颜色层的材料为硅氧化物,通过控制硅氧化物中氧原子的摩尔含量为40%~55%,装饰薄膜的颜色L值在48~60之间,a、b值靠近中性灰色区域,电阻大于40MΩ。

    非晶态CrSiCN涂层及其制备方法、应用、导电膜和电子设备

    公开(公告)号:CN111850486A

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN202010567004.3

    申请日:2020-06-19

    Inventor: 王强 晏柱 薛涛

    Abstract: 本发明涉及一种非晶态CrSiCN涂层及其制备方法、应用和导电膜;其中,非晶态CrSiCN涂层的制备方法中,真空条件下,采用CrSi合金靶为靶材,通入惰性气体、C2H2和N2,进行气相沉积,得到非晶态CrSiCN涂层;其中,所述气相沉积采用离子源辅助沉积。该方法能避免形成具有柱状形貌的晶态CrSiCN,且采用离子源辅助沉积能进一步提高膜层致密性,使涂层结构紧致,进一步提高了涂层的耐腐蚀性、耐磨性和硬度;制得的非晶态CrSiCN涂层应用于各类电子设备,能提高其耐磨、耐防腐性能和硬度,进而提高其使用寿命。

    电磁屏蔽功能芯片及其电磁屏蔽膜层、电磁屏蔽方法

    公开(公告)号:CN110958828B

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN201911164780.2

    申请日:2019-11-25

    Inventor: 王强 薛涛 王伟

    Abstract: 本发明涉及一种电磁屏蔽功能芯片及其电磁屏蔽膜层、电磁屏蔽方法,该电磁屏蔽膜层包括层叠设置的金属打底层、铜镍合金层以及不锈钢面层,芯片基底与铜镍合金层之间通过金属打底层过渡连接,可以提高电磁屏蔽目标物与铜镍合金层之间的结合力,也有利于芯片基底散热,同时金属打底层作为导电层,具有一定的电磁屏蔽能力,铜镍合金层与芯片基底之间不存在无屏蔽间隙,不锈钢面层和铜镍合金层可以形成涡流效应并在屏蔽体与被保护空间的分界面上产生反射,使得膜层整体的电磁屏蔽效果更好、屏蔽频段更全面;另一方面,铜镍合金层抗氧化性较差,而不锈钢面层具有优异的防腐蚀性能以及耐高温性能,因此不锈钢面层也能够作为铜镍合金层的保护层。

    电磁屏蔽功能芯片及其电磁屏蔽膜层、电磁屏蔽方法

    公开(公告)号:CN110958828A

    公开(公告)日:2020-04-03

    申请号:CN201911164780.2

    申请日:2019-11-25

    Inventor: 王强 薛涛 王伟

    Abstract: 本发明涉及一种电磁屏蔽功能芯片及其电磁屏蔽膜层、电磁屏蔽方法,该电磁屏蔽膜层包括层叠设置的金属打底层、铜镍合金层以及不锈钢面层,芯片基底与铜镍合金层之间通过金属打底层过渡连接,可以提高电磁屏蔽目标物与铜镍合金层之间的结合力,也有利于芯片基底散热,同时金属打底层作为导电层,具有一定的电磁屏蔽能力,铜镍合金层与芯片基底之间不存在无屏蔽间隙,不锈钢面层和铜镍合金层可以形成涡流效应并在屏蔽体与被保护空间的分界面上产生反射,使得膜层整体的电磁屏蔽效果更好、屏蔽频段更全面;另一方面,铜镍合金层抗氧化性较差,而不锈钢面层具有优异的防腐蚀性能以及耐高温性能,因此不锈钢面层也能够作为铜镍合金层的保护层。

    治具装载架
    9.
    实用新型

    公开(公告)号:CN216883918U

    公开(公告)日:2022-07-05

    申请号:CN202123348964.X

    申请日:2021-12-28

    Abstract: 本实用新型涉及一种治具装载架,治具装载架包括框架与活动板,其中:框架由两根连接杆以及两块承载板围设而成,连接杆在其轴线平面内具有相互垂直的第一方向与第二方向,第一方向为连接杆的延伸方向,在第二方向上,两块承载板均间隔开设有多个第一容置槽;活动板可拆卸地连接于两根连接杆,在第二方向上,活动板间隔开设有多个与第一容置槽相对应的第二容置槽;本实用新型提供的治具装载架适用于多种规格治具的存放与转运,易于存放管理,并且治具取放便捷,可显著提高治具的取放效率。

    镀膜框以及遮蔽型镀膜治具

    公开(公告)号:CN216514110U

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202122160371.4

    申请日:2021-09-07

    Abstract: 本实用新型涉及一种镀膜框以及遮蔽型镀膜治具。该镀膜框包括底座、侧板以及卡紧件。侧板围绕底座的边缘设置,侧板的内侧形成遮蔽腔室,侧板上设有穿设通道,穿设通道用于供待镀膜工件伸入遮蔽腔室。卡紧件设于遮蔽腔室内,卡紧件用于卡紧待镀膜工件且能够抵接于侧板的内壁以避免待镀膜工件自穿设通道脱落。采用该镀膜框对工件进行镀膜时,将待镀膜工件从穿设通道插入,使需要镀膜的部分位于遮蔽腔室外。然后通过卡紧件卡紧待镀膜工件,同时卡紧件与侧板的内壁抵接,此时待镀膜工件不会从穿设通道脱落,能够方便快捷地将待镀膜工件安装到镀膜框中,操作过程简单便利,有效提高生产效率。

Patent Agency Ranking