公开(公告)号：CN1443364A

公开(公告)日：2003-09-17

申请号：CN01811405.9

申请日：2001-04-19

Applicant: 纽约市哥伦比亚大学托管会 ,  埃尼维克公司

Inventor： 罗伯特·S·斯坡斯里 ,  詹姆斯·S·埃姆

IPC: H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02686 ,  B23K26/066 ,  B23K26/08 ,  B23K26/082 ,  B23K2101/40 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268

Abstract: 一种在基底上加工硅薄膜样品的方法和系统，在硅薄膜上具有一个不生长籽晶的表面部分，膜样品有一个第一边缘和一个第二边缘。控制一个照射光束发生器以一个预定的重复速度、发射连续照射光束脉冲，每一个照射光束脉冲被屏蔽确定第一多个子光束和第二多个子光束，每一照射脉冲的第一和第二子光束被供给照射膜样品，并具有足够穿过其整个厚度、熔化膜样品的照射部分的强度。以一个恒定预定速度连续扫描膜样品，使得在第一边缘和第二边缘之间、在膜样品的扫描方向、膜样品发生照射光束脉冲的第一和第二子光束的一个连续冲击。在扫描薄膜样品中，用照射光束脉冲的第一子光束连续照射膜样品的多个第一区，使得第一区的穿过其厚度熔化并留下分别相邻的第一区之间的照射区。在扫描薄膜样品中，允许每一第一区通过照射光束脉冲的每个第一子光束照射到再凝固和结晶。在第一区再凝固和结晶中，用照射光束脉冲的第二子光束连续照射膜样品的多个第二区，使得第二区穿过其厚度被熔化。其中每一个第二区与其中一个分别成对的再凝固和结晶的第一区和其中分别未照射区域部分重叠。