公开(公告)号：CN1641836A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200410097828.X

申请日：2001-03-12

Applicant: 纽约市哥伦比亚大学托管会

Inventor： J·S·安

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02691 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026

Abstract: 一种对非晶硅薄膜样品进行加工以制造大晶粒并且晶粒边界受控的硅薄膜方法和系统。薄膜样品包括第一边缘和第二边缘。具体说来，采用该方法和系统，使用准分子激光器来提供脉冲激光束，并且屏蔽脉冲激光束以产生图案子光束，每一图案子光束具有足以使薄膜样品融化的强度。用图案子光束以第一恒定预定速度沿第一边缘和第二边缘之间的第一路径对薄膜样品进行连续扫描。此外，用图案子光束以第二恒定预定速度沿第一边缘和第二边缘之间的第二路径对薄膜样品进行连续扫描。

公开(公告)号：CN1641836B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200410097828.X

申请日：2001-03-12

Applicant: 纽约市哥伦比亚大学托管会

Inventor： J·S·安

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02691 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026

Abstract: 一种对非晶硅薄膜样品进行加工以制造大晶粒并且晶粒边界受控的硅薄膜方法和系统。薄膜样品包括第一边缘和第二边缘。具体说来，采用该方法和系统，使用准分子激光器来提供脉冲激光束，并且屏蔽脉冲激光束以产生图案子光束，每一图案子光束具有足以使薄膜样品融化的强度。用图案子光束以第一恒定预定速度沿第一边缘和第二边缘之间的第一路径对薄膜样品进行连续扫描。此外，用图案子光束以第二恒定预定速度沿第一边缘和第二边缘之间的第二路径对薄膜样品进行连续扫描。

公开(公告)号：CN1364310A

公开(公告)日：2002-08-14

申请号：CN01800540.3

申请日：2001-03-12

Applicant: 纽约市哥伦比亚大学托管会

Inventor： J·S·安

IPC: H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02691 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026

Abstract: 一种对非晶硅薄膜样品进行加工以制造大晶粒并且晶粒边界受控的硅薄膜方法和系统。薄膜样品包括第一边缘和第二边缘。具体说来,采用该方法和系统,使用准分子激光器来提供脉冲激光束,并且屏蔽脉冲激光束以产生图案子光束,每一图案子光束具有足以使薄膜样品融化的强度。用图案子光束以第一恒定预定速度沿第一边缘和第二边缘之间的第一路径对薄膜样品进行连续扫描。此外,用图案子光束以第二恒定预定速度沿第一边缘和第二边缘之间的第二路径对薄膜样品进行连续扫描。