公开(公告)号：CN116438591A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202180076033.2

申请日：2021-11-11

Applicant: 索尼集团公司 ,  索尼半导体解决方案公司

Inventor： 笠原直也 ,  塚本竹雄

IPC: G09F9/30

Abstract: 提供一种能够抑制发光亮度的变化的显示装置。该显示装置设置有：第一电极层，具有二维布置的多个电极；第二电极层，与第一电极层相对设置；电致发光层，设置在第一电极层与第二电极层之间；以及绝缘层，设置在相邻电极之间。绝缘层具有多个开口。多个开口中的每一个被提供给电极中的对应一个电极。绝缘层包括多个局部化部分。多个局部化部分中的每一个围绕开口中的对应一个开口局部化。绝缘层在电致发光层与局部化部分之间形成势垒。

公开(公告)号：CN117652031A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202280049904.6

申请日：2022-03-16

Applicant: 索尼半导体解决方案公司 ,  索尼集团公司

Inventor： 齐藤阳介 ,  菅野雅人 ,  服部真之介 ,  小林一 ,  塚本竹雄 ,  中込湧士郎 ,  高桥千明 ,  稲叶未华 ,  须田洋辅 ,  福原庆 ,  茂木英昭

IPC: H01L27/146 ,  H04N23/54

Abstract: 根据本发明的一个实施方案的摄像元件设置有：第一电极；与所述第一电极相对设置的第二电极；有机层，所述有机层布置在所述第一电极与所述第二电极之间，并且至少包括光电转换层；以及第一半导体层，所述第一半导体层布置在所述第二电极与所述有机层之间并且具有4.5eV以上且6.0eV以下的电子亲和力，同时包含第一含碳化合物和第二含碳化合物，所述第一含碳化合物具有大于4.8eV的电子亲和力或大于所述第二电极的功函数的电子亲和力，所述第二含碳化合物具有大于5.5eV的电离电位。

公开(公告)号：CN116670745A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202180084878.6

申请日：2021-12-22

Applicant: 索尼集团公司 ,  索尼半导体解决方案公司

Inventor： 须佐纮子 ,  塚本竹雄 ,  君岛美树 ,  渡部彰

IPC: G09F9/30

Abstract: 提供了一种显示装置，利用该显示装置可以抑制发生在相邻子像素之间的驱动电流泄漏。该显示装置设置有：第一电极层，包括二维布置的多个电极；第二电极层，被设置成面向第一电极层；设置于第一电极层和第二电极层之间的电致发光层；以及设置在相邻电极之间的绝缘层。电致发光层设置有空穴传输层，空穴传输层与绝缘层相邻。绝缘层与空穴传输层之间的界面处的能级Einterface(1)和空穴传输层的体相中的能级Ebulk(1)满足公式(1)。(1)：0≤Ebulk(1)－Einterface(1)≤0.3eV。

公开(公告)号：CN116529732A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180075132.9

申请日：2021-10-29

Applicant: 索尼集团公司

Inventor： 吉田浩 ,  奥野润 ,  古贺洋贵 ,  周藤悠介 ,  塚本竹雄

IPC: G06G7/16

Abstract: 本公开涉及一种被配置为能够降低能耗的半导体装置。提供了一种半导体装置，包括：输入单元，输入电荷；计算单元，存储并计算来自输入单元的电荷；以及输出单元，检测并输出存储在计算单元中的电荷。计算单元具有存储单元，多个配对单元连接至该存储单元，每个配对由输入单元与选通单元形成。多个配对单元的每个使从输入单元输入至存储单元的电荷可变。存储单元存储从多个连接的配对单元中的每个输入的电荷。本发明可应用于例如模拟计算装置。