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公开(公告)号：CN101595568A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200880003389.8
申请日：2008-01-28
Applicant: 索尼株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/001 , H01L51/0516 , H01L51/0529 , H01L51/0545
Abstract: 提供了一种底栅/底接触型薄膜半导体装置(1)的制造方法，其中该薄膜半导体装置(1)可以将栅极绝缘膜和薄膜半导体层之间的边界保持在优选的状态而不受源极/漏极电极的影响并因此可以不论精细的结构而具有优选的特性。第一栅极绝缘膜(7－1)形成为覆盖形成的基板(3)上的栅极电极(5)的状态。成对的源极/漏极电极(9)形成在第一栅极绝缘膜(7－1)上。此后，第二栅极绝缘膜(7－2)仅选择性地形成在从源极/漏极电极(9)露出的第一栅极绝缘膜(7－1)上。接着，形成与源极/漏极电极(9)接触的薄膜半导体层(11)以连续覆盖源极/漏极电极(9)、第二栅极绝缘膜(7－2)和第一栅极绝缘膜(7－1)。
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公开(公告)号：CN101595568B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200880003389.8
申请日：2008-01-28
Applicant: 索尼株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/001 , H01L51/0516 , H01L51/0529 , H01L51/0545
Abstract: 提供了一种底栅/底接触型薄膜半导体装置(1)的制造方法，其中该薄膜半导体装置(1)可以将栅极绝缘膜和薄膜半导体层之间的边界保持在优选的状态而不受源极/漏极电极的影响并因此可以不论精细的结构而具有优选的特性。第一栅极绝缘膜(7-1)形成为覆盖形成的基板(3)上的栅极电极(5)的状态。成对的源极/漏极电极(9)形成在第一栅极绝缘膜(7-1)上。此后，第二栅极绝缘膜(7-2)仅选择性地形成在从源极/漏极电极(9)露出的第一栅极绝缘膜(7-1)上。接着，形成与源极/漏极电极(9)接触的薄膜半导体层(11)以连续覆盖源极/漏极电极(9)、第二栅极绝缘膜(7-2)和第一栅极绝缘膜(7-1)。
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公开(公告)号：CN101609832B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200910149072.1
申请日：2009-06-16
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 八木岩
IPC: H01L27/02 , H01L29/786 , H01L21/82 , H01L21/336 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133305 , G02F1/133345 , G02F2001/136218 , H01L27/283
Abstract: 本发明公开了一种显示装置及其制造方法、以及半导体器件及其制造方法，其中，该显示装置包括基板上的源电极/漏电极、像素电极、绝缘的分隔壁层、沟道区半导体层。源电极/漏电极和像素电极形成在基板上并彼此接触。绝缘的分隔壁层形成在基板上，并设置有延伸至源电极和漏电极之间的第一开口以及形成在像素电极之上并延伸至像素电极的第二开口。沟道区半导体层形成于第一开口的底部上。绝缘膜形成在分隔壁层上以覆盖包括沟道区半导体层的第一开口。定向膜从绝缘膜上方覆盖第一开口并从像素电极上方覆盖第二开口。通过本发明，可以提高具有像素电极的显示装置的图像质量。
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公开(公告)号：CN101609832A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910149072.1
申请日：2009-06-16
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 八木岩
IPC: H01L27/02 , H01L29/786 , H01L21/82 , H01L21/336 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133305 , G02F1/133345 , G02F2001/136218 , H01L27/283
Abstract: 本发明公开了一种显示装置及其制造方法、以及半导体器件及其制造方法，其中，该显示装置包括基板上的源电极/漏电极、像素电极、绝缘的分隔壁层、沟道区半导体层。源电极/漏电极和像素电极形成在基板上并彼此接触。绝缘的分隔壁层形成在基板上，并设置有延伸至源电极和漏电极之间的第一开口以及形成在像素电极之上并延伸至像素电极的第二开口。沟道区半导体层形成于第一开口的底部上。绝缘膜形成在分隔壁层上以覆盖包括沟道区半导体层的第一开口。定向膜从绝缘膜上方覆盖第一开口并从像素电极上方覆盖第二开口。通过本发明，可以提高具有像素电极的显示装置的图像质量。
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