公开(公告)号：CN1197900C

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN99111657.7

申请日：1999-07-02

Applicant: 索尼株式会社 ,  工业技术院

Inventor： 外崎峰广 ,  竹井裕 ,  冲田裕之 ,  堀野裕治 ,  茶谷原昭义 ,  木野村淳 ,  坪内信辉

IPC: C08J7/00 ,  G11B9/08

CPC classification number: C23C14/48 ,  B29C59/16 ,  B29C2035/0872 ,  B29C2043/527 ,  B29C2043/566 ,  C23C14/02

Abstract: 本申请公开了一种用于树脂的表面硬化方法和表面硬化的树脂，能够在短时间内以低的能量改善塑料盘基片的表面；还公开了这种树脂的生产设备。以等于或者低于20KeV的能量把每平方厘米具有等于或者多于1017的碳离子注入塑料盘基片10所导致的离子注入层11的形成以及在离子注入层11上的高硬度的薄膜12的形成是交替地或者同时进行的，并且，利用偏压装置可进一步提高硬化率。

公开(公告)号：CN1248589A

公开(公告)日：2000-03-29

申请号：CN99111657.7

申请日：1999-07-02

Applicant: 索尼株式会社 ,  工业技术院

Inventor： 外崎峰广 ,  竹井裕 ,  冲田裕之 ,  堀野裕治 ,  茶谷原昭义 ,  木野村淳 ,  坪内信辉

IPC: C08J7/00 ,  G11B9/08

CPC classification number: C23C14/48 ,  B29C59/16 ,  B29C2035/0872 ,  B29C2043/527 ,  B29C2043/566 ,  C23C14/02

Abstract: 本申请公开了一种用于树脂的表面硬化方法和表面硬化的树脂,能够在短时间内以低的能量改善塑料盘基片的表面;还公开了这种树脂的生产设备。以等于或者低于20KeV的能量把每平方厘米具有等于或者多于1017的碳离子注入塑料盘基片10所导致的离子注入层11的形成以及在离子注入层11上的高硬度的薄膜12的形成是交替地或者同时进行的,并且,利用偏压装置可进一步提高硬化率。