公开(公告)号：CN1298207A

公开(公告)日：2001-06-06

申请号：CN00128327.8

申请日：2000-11-24

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 町田晓夫 ,  达拉姆·帕尔·高塞恩 ,  野口隆 ,  堆井节夫

IPC: H01L31/0376 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/204 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/52 ,  Y02P70/521

Abstract: 对于制造像包括有机高分子聚合物材料的基体、氧化物电极薄膜和在氧化物电极薄膜上的各含有至少一种Ⅳ族元素的半导体薄膜的薄膜太阳能电池之类的半导体器件来说,例如,在像不含有氢气之类的非还原性气氛下用溅射堆积与氧化物电极薄膜接触的一层半导体薄膜。保证在氧化物电极薄膜和半导体薄膜之间的界面上基本上不含有直径达3纳米及以上的粒状产物。所以,在表面上有ITO薄膜那样的氧化物电极薄膜的塑料衬底上,能够堆积像非晶半导体薄膜之类的半导体薄膜带有增强的粘附力。

公开(公告)号：CN100338781C

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN00128327.8

申请日：2000-11-24

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 町田晓夫 ,  达拉姆·帕尔·高塞恩 ,  野口隆 ,  堆井节夫

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/204 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/52 ,  Y02P70/521

Abstract: 对于制造像包括有机高分子聚合物材料的基体、氧化物电极薄膜和在氧化物电极薄膜上的各含有至少一种IV族元素的半导体薄膜的薄膜太阳能电池之类的半导体器件来说，例如，在像不含有氢气之类的非还原性气氛下用溅射堆积与氧化物电极薄膜接触的一层半导体薄膜。保证在氧化物电极薄膜和半导体薄膜之间的界面上基本上不含有直径达3纳米及以上的粒状产物。所以，在表面上有ITO薄膜那样的氧化物电极薄膜的塑料衬底上，能够堆积像非晶半导体薄膜之类的半导体薄膜带有增强的粘附力。