公开(公告)号：CN101569069A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200880001217.7

申请日：2008-05-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 冈野展贤 ,  狩野祥男 ,  鎌田满 ,  高瀬英治 ,  大金诚 ,  长竹刚 ,  成井启修

IPC: H01S5/223 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/227 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/145 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/2223 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3077 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3432

Abstract: 本发明公开了一种半导体发光装置，该半导体发光装置包括：(A)发光单元(20)，由具有第一导电类型的第一化合物半导体层(21)(下面将“化合物半导体层”称作“层”)、有源层(23)和具有第二导电类型的第二层(22)组成；以及(B)电流阻挡层(40)，形成为与发光部分的侧面接触并由具有第一导电类型的第三层(43)和具有第二导电类型的第四层(44)组成。使第一层(21)具有第一导电类型的杂质由第一层(21)中的杂质的置换位置与第二层(22)中使第二层(22)具有第二导电类型的杂质的置换位置不相竞争的杂质组成。使第三层(43)具有第一导电类型的杂质由第三层(43)中的杂质的置换位置与第四层(44)中使第四层(44)具有第二导电类型的杂质的置换位置相竞争的杂质组成。在该半导体发光装置中，可以进一步减少电流阻挡层中的电流泄漏。

公开(公告)号：CN1555425A

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：CN02818012.7

申请日：2002-09-11

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 丸山竜一郎 ,  宫泽弘 ,  大金诚

IPC: C25B1/02 ,  C25B13/04 ,  C01B3/04 ,  H01M8/00

CPC classification number: H01M8/1016 ,  C25B1/04 ,  H01M8/04089 ,  H01M8/065 ,  H01M8/0656 ,  Y02E60/364 ,  Y02E60/366

Abstract: 本发明涉及一种包括能制造氢气、压缩和充填所制造的氢气而制造和保存氢气的设备的电化学装置。该装置包括用于通过电解产生氢气的电解单元(1)，用于压缩电解单元(1)所产生的氢气的加压单元(2)和用于将所压缩的氢气充填至氢气储箱(50－58)的充填单元(4)，其中加压单元(2)通过供给来自充填单元(4)的氢气和供给氧气或者含有氧气的气体而起到可逆运行的燃料电池单元的功能。

公开(公告)号：CN101569069B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200880001217.7

申请日：2008-05-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 冈野展贤 ,  狩野祥男 ,  鎌田满 ,  高瀬英治 ,  大金诚 ,  长竹刚 ,  成井启修

IPC: H01S5/223 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/227 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/145 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/2223 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3077 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3432

Abstract: 本发明公开了一种半导体发光装置，该半导体发光装置包括：(A)发光单元(20)，由具有第一导电类型的第一化合物半导体层(21)(下面将“化合物半导体层”称作“层”)、有源层(23)和具有第二导电类型的第二层(22)组成；以及(B)电流阻挡层(40)，形成为与发光部分的侧面接触并由具有第一导电类型的第三层(43)和具有第二导电类型的第四层(44)组成。使第一层(21)具有第一导电类型的杂质由第一层(21)中的杂质的置换位置与第二层(22)中使第二层(22)具有第二导电类型的杂质的置换位置不相竞争的杂质组成。使第三层(43)具有第一导电类型的杂质由第三层(43)中的杂质的置换位置与第四层(44)中使第四层(44)具有第二导电类型的杂质的置换位置相竞争的杂质组成。在该半导体发光装置中，可以进一步减少电流阻挡层中的电流泄漏。