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公开(公告)号：CN100587972C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200710300371.1
申请日：2007-12-21
Applicant: 索尼德国有限责任公司 , 索尼株式会社
CPC classification number: H01G9/2031 , H01G9/2059 , Y02E10/542
Abstract: 本发明提供了一种光电池、制造该种光电池的方法以及该电池的用途。具体地，本发明涉及一种光电池，它包括：第一基材和在所述第一基材上的第一电极，优选其以层的形式覆盖所述第一基材，更优选其为透明导电氧化物层形式，或者第一金属箔作为第一基材和第一电极；多孔半导体层，其是在所述第一电极上的光敏化层；在所述多孔半导体层上的多孔间隔层；作为反电极的第二电极，其在所述多孔间隔层上并与之物理接触，所述第二电极优选以层的形式覆盖所述多孔间隔层；在所述第二电极上的第二基材。其中所述多孔半导体层具有由所述多孔半导体层的孔形成的第一间隙空间，并且所述多孔间隔层具有由所述多孔间隔层的孔形成的第二间隙空间，其中所述第一和第二间隙空间彼此流体接触并且被充满电解质，并且其中位于一侧上的所述多孔层间隔层与所述第二电极物理接触，而且其中所述位于另一侧上的多孔间隔层与所述多孔半导体层物理接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101241940A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710300371.1
申请日：2007-12-21
Applicant: 索尼德国有限责任公司 , 索尼株式会社
CPC classification number: H01G9/2031 , H01G9/2059 , Y02E10/542
Abstract: 本发明提供了一种光电池、制造该种光电池的方法以及该电池的用途。具体地，本发明涉及一种光电池，它包括：第一基材和在所述第一基材上的第一电极，优选其以层的形式覆盖所述第一基材，更优选其为透明导电氧化物层形式，或者第一金属箔作为第一基材和第一电极，多孔半导体层，其是在所述第一电极上的光敏化层，在所述多孔半导体层上的多孔间隔层，作为反电极的第二电极，其在所述多孔间隔层上并与之物理接触，所述第二电极优选以层的形式覆盖所述多孔间隔层，在所述第二电极上的第二基材，其中所述多孔半导体层具有由所述多孔半导体层的孔形成的第一间隙空间，并且所述多孔间隔层具有由所述多孔间隔层的孔形成的第二间隙空间，其中所述第一和第二间隙空间彼此流体接触并且被充满电解质，并且其中位于一侧上的所述多孔层间隔层与所述第二电极物理接触，而且其中所述位于另一侧上的多孔间隔层与所述多孔半导体层物理接触。
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公开(公告)号：CN101427331B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200680054322.8
申请日：2006-12-20
Applicant: 索尼德国有限责任公司
CPC classification number: H01G9/2036 , Y02E10/542
Abstract: 本发明涉及具有通式AxB1-xCy的半导体化合物、使用所述半导体化合物来优化半导体材料的导带和价带的位置的方法以及包含所述半导体化合物的光敏器件。
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公开(公告)号：CN101611462A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200780051257.8
申请日：2007-12-12
Applicant: 索尼德国有限责任公司
IPC: H01G9/20
CPC classification number: H01G9/2095 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , H01L51/003 , Y02E10/542
Abstract: 在基底上制备多孔半导体膜的方法，所述方法包括以下步骤：a)在第一基底上制备粘合层，所述粘合层能够在附着于所述粘合层的多孔半导体层与所述第一基底之间提供电和机械接触，b)在能够经受住温度≥300℃的第二基底上施加间隔层，并且在所述间隔层上施加多孔半导体层，c)在所述多孔半导体层上施加辅助层，所述辅助层为所述多孔半导体层提供支撑，d)除去所述间隔层，e)将由所述辅助层支撑的所述多孔半导体层转移到所述粘合层上，f)将所述多孔半导体层压到所述粘合层上，g)从所述多孔半导体层除去所述辅助层，从而获得所述第一基底，该第一基底具有通过所述粘合层附着于其上的作为多孔半导体膜的所述多孔半导体层。
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公开(公告)号：CN100524836C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200410008554.2
申请日：2004-03-24
Applicant: 索尼德国有限责任公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0236 , H01L31/04 , H01L31/18 , H01L21/00 , H01G9/20
CPC classification number: H01G9/2031 , H01L31/0547 , H01L51/0086 , Y02E10/52 , Y02E10/542
Abstract: 本发明涉及用在电子器件中的多孔膜、这种多孔膜的使用、制造多孔膜的方法以及通过所述方法制造的多孔膜。
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公开(公告)号：CN101427331A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200680054322.8
申请日：2006-12-20
Applicant: 索尼德国有限责任公司
IPC: H01G9/20
CPC classification number: H01G9/2036 , Y02E10/542
Abstract: 本发明涉及具有通式AxB1－xCy的半导体化合物、使用所述半导体化合物来优化半导体材料的导带和价带的位置的方法以及包含所述半导体化合物的光敏器件。
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