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公开(公告)号：CN101473705B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200780023236.5
申请日：2007-05-24
Applicant: 索尼德国有限责任公司
IPC: H05H3/04
CPC classification number: H05H3/04
Abstract: 本发明涉及塞曼减速仪器件、用于这样的塞曼减速仪器件的线圈和用于冷却原子束的方法。公开了具有冷却部分(212)的塞曼减速仪，所述冷却部分(212)包括沿纵轴(L)延伸的内部通道(230)，该内部通道(230)具有垂直于纵轴(L)的横截面，其中至少在冷却部分(212)的一部分中内部通道(230)的横截面面积沿纵轴(L)单调增加。
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公开(公告)号：CN101715564A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200780052986.5
申请日：2007-05-15
Applicant: 索尼德国有限责任公司
Abstract: 显微镜测量系统，包括：具有显微镜主体和与所述显微镜主体连接的物镜机构的光学显微镜；包括用于将待测对象保持在其中的支撑机构的腔室，所述腔室具有用于以使所述物镜机构基本位于所述腔室内部且所述显微镜主体基本位于所述腔室外部的方式将所述物镜机构插入所述腔室中的开口；和以密封所述腔室的方式在该光学显微镜和该腔室之间提供基本气密性连接的密封机构。
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公开(公告)号：CN101611298A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200780047784.1
申请日：2007-12-12
Applicant: 索尼德国有限责任公司
IPC: G01K11/20
CPC classification number: G01K11/20 , G01K2211/00 , G01K2213/00 , G02B21/0076
Abstract: 本发明涉及一种以＜1μm的分辨率测量物体中的温度和/或温度分布的方法以及用于实施该方法的装置，更特别地涉及一种实施该方法的显微镜。该方法包括在物体上施加被埋入基体层中的分子温度计，用所述显微镜的光源光激发所述的分子温度计以及用所述显微镜的两个光电探测器测量来自所述分子温度计的射线发射。通过所述第一探测器测量在第一波长处的第一强度，通过所述第二探测器测量在第二波长处的第二强度，计算所述强度比并将其用于利用校准曲线来确定温度，所述显微镜是共焦显微镜或受激发射损耗(STED)显微镜。
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公开(公告)号：CN101611117A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200780043971.2
申请日：2007-10-19
Applicant: 索尼德国有限责任公司
IPC: C09K19/54
CPC classification number: C09K19/544 , C09K2019/546
Abstract: 本发明涉及制备聚合物分散的液晶的方法、涉及生产聚合物分散的液晶盒的方法、涉及用这样的方法制备的聚合物分散的液晶和聚合物分散的液晶盒、涉及包含多个这样的聚合物分散的液晶盒的液晶显示器和涉及颗粒用于制备聚合物分散的液晶的用途。
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公开(公告)号：CN101427331A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200680054322.8
申请日：2006-12-20
Applicant: 索尼德国有限责任公司
IPC: H01G9/20
CPC classification number: H01G9/2036 , Y02E10/542
Abstract: 本发明涉及具有通式AxB1－xCy的半导体化合物、使用所述半导体化合物来优化半导体材料的导带和价带的位置的方法以及包含所述半导体化合物的光敏器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101427331B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200680054322.8
申请日：2006-12-20
Applicant: 索尼德国有限责任公司
CPC classification number: H01G9/2036 , Y02E10/542
Abstract: 本发明涉及具有通式AxB1-xCy的半导体化合物、使用所述半导体化合物来优化半导体材料的导带和价带的位置的方法以及包含所述半导体化合物的光敏器件。
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公开(公告)号：CN101611462A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200780051257.8
申请日：2007-12-12
Applicant: 索尼德国有限责任公司
IPC: H01G9/20
CPC classification number: H01G9/2095 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , H01L51/003 , Y02E10/542
Abstract: 在基底上制备多孔半导体膜的方法，所述方法包括以下步骤：a)在第一基底上制备粘合层，所述粘合层能够在附着于所述粘合层的多孔半导体层与所述第一基底之间提供电和机械接触，b)在能够经受住温度≥300℃的第二基底上施加间隔层，并且在所述间隔层上施加多孔半导体层，c)在所述多孔半导体层上施加辅助层，所述辅助层为所述多孔半导体层提供支撑，d)除去所述间隔层，e)将由所述辅助层支撑的所述多孔半导体层转移到所述粘合层上，f)将所述多孔半导体层压到所述粘合层上，g)从所述多孔半导体层除去所述辅助层，从而获得所述第一基底，该第一基底具有通过所述粘合层附着于其上的作为多孔半导体膜的所述多孔半导体层。
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公开(公告)号：CN101241940A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710300371.1
申请日：2007-12-21
Applicant: 索尼德国有限责任公司 , 索尼株式会社
CPC classification number: H01G9/2031 , H01G9/2059 , Y02E10/542
Abstract: 本发明提供了一种光电池、制造该种光电池的方法以及该电池的用途。具体地，本发明涉及一种光电池，它包括：第一基材和在所述第一基材上的第一电极，优选其以层的形式覆盖所述第一基材，更优选其为透明导电氧化物层形式，或者第一金属箔作为第一基材和第一电极，多孔半导体层，其是在所述第一电极上的光敏化层，在所述多孔半导体层上的多孔间隔层，作为反电极的第二电极，其在所述多孔间隔层上并与之物理接触，所述第二电极优选以层的形式覆盖所述多孔间隔层，在所述第二电极上的第二基材，其中所述多孔半导体层具有由所述多孔半导体层的孔形成的第一间隙空间，并且所述多孔间隔层具有由所述多孔间隔层的孔形成的第二间隙空间，其中所述第一和第二间隙空间彼此流体接触并且被充满电解质，并且其中位于一侧上的所述多孔层间隔层与所述第二电极物理接触，而且其中所述位于另一侧上的多孔间隔层与所述多孔半导体层物理接触。
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公开(公告)号：CN101473705A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200780023236.5
申请日：2007-05-24
Applicant: 索尼德国有限责任公司
IPC: H05H3/04
CPC classification number: H05H3/04
Abstract: 本发明涉及塞曼减速仪器件、用于这样的塞曼减速仪器件的线圈和用于冷却原子束的方法。公开了具有冷却部分(212)的塞曼减速仪，所述冷却部分(212)包括沿纵轴(L)延伸的内部通道(230)，该内部通道(230)具有垂直于纵轴(L)的横截面，其中至少在冷却部分(212)的一部分中内部通道(230)的横截面面积沿纵轴(L)单调增加。
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公开(公告)号：CN101454421B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN200780019383.5
申请日：2007-03-30
Applicant: 索尼德国有限责任公司
IPC: C09K19/54
CPC classification number: C09K19/54 , Y10T428/10 , Y10T428/1036
Abstract: 本发明涉及包含至少一种液晶的组合物，包含这种组合物的液晶盒和液晶显示器装置以及制备这种组合物和/或这种液晶盒的方法。
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