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公开(公告)号:CN116472572A
公开(公告)日:2023-07-21
申请号:CN202180078265.1
申请日:2021-11-18
Applicant: 索尼半导体解决方案公司 , 索尼集团公司
IPC: G09F9/00
Abstract: 在该显示装置中:具有发光单元的显示元件以二维矩阵形状布置在基板上,发光单元是各自通过层叠下电极、有机层和上电极形成的;下电极和有机层被设置到每一个发光单元;在基板的位于相邻发光单元之间的部分中形成凹槽部,凹槽部各自具有底表面和与底表面形成适度的倾斜角的两个侧表面;并且在包括在发光单元上的部分和在基板的凹槽部上的部分的整个表面上形成公用的保护膜。
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公开(公告)号:CN115336390A
公开(公告)日:2022-11-11
申请号:CN202180024234.8
申请日:2021-03-31
Applicant: 索尼集团公司 , 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 本发明中,一种显示装置,包括阳极电极、有机发光层和第一阴极电极。显示装置包括:多个发光元件,其中阳极电极、有机发光层和第一阴极按每个子像素分隔开;保护层,覆盖多个发光元件;以及第二阴极电极,设置在保护层上。第二阴极电极连接至每个分隔的第一阴极电极。
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公开(公告)号:CN117322134A
公开(公告)日:2023-12-29
申请号:CN202280033123.8
申请日:2022-03-31
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H05B33/22
Abstract: 提供了一种能够提高像素的发光状态的可靠性的显示装置和电子设备。显示装置包括:多个子像素;多个发光元件,包括阳极电极、有机层和第一阴极电极,所述阳极电极、所述有机层和所述第一阴极电极被分隔成所述多个子像素中的每个子像素;覆盖所述第一阴极电极的元件保护层;设置在所述元件保护层上的第二阴极电极;和将所述第二阴极电极与所述第一阴极电极电连接的连接部,所述连接部沿着所述元件保护层的侧壁形成。
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公开(公告)号:CN117063611A
公开(公告)日:2023-11-14
申请号:CN202280024067.1
申请日:2022-03-16
Applicant: 索尼集团公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H05B33/12
Abstract: 提供了一种能够提高开口率并抑制电极之间的电流泄漏的能力优异的发光装置和显示装置,以及使用该显示装置的电子设备。发光装置包括基板、层压结构和电极中继部。层压结构在基板上依次设置有第一电极、第一有机层、第二电极、第二有机层和第三电极,第二电极用作与第一电极和第三电极相对应的公共电极,壁面部形成为至少部分地具有连接第一有机层的侧壁、第二电极的侧壁和第二有机层的侧壁的连续连接的表面,设置覆盖壁面部的至少一部分的侧壁绝缘层。电极中继部从第三电极延伸至基板侧,并经由侧壁绝缘层越过壁面部的外表面。
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公开(公告)号:CN116438591A
公开(公告)日:2023-07-14
申请号:CN202180076033.2
申请日:2021-11-11
Applicant: 索尼集团公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: G09F9/30
Abstract: 提供一种能够抑制发光亮度的变化的显示装置。该显示装置设置有:第一电极层,具有二维布置的多个电极;第二电极层,与第一电极层相对设置;电致发光层,设置在第一电极层与第二电极层之间;以及绝缘层,设置在相邻电极之间。绝缘层具有多个开口。多个开口中的每一个被提供给电极中的对应一个电极。绝缘层包括多个局部化部分。多个局部化部分中的每一个围绕开口中的对应一个开口局部化。绝缘层在电致发光层与局部化部分之间形成势垒。
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公开(公告)号:CN118974804A
公开(公告)日:2024-11-15
申请号:CN202380026491.4
申请日:2023-03-10
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Inventor: 笠原直也 , 泽部智明 , 小仓昌也 , 青柳健一 , 白岩利章 , 根岸英辅 , 立岛滉大 , 伊藤启之 , 吉田纯 , 加藤孝义 , 西川宽 , 滨下大辅 , 市川朋芳 , 藤卷宏史 , 大岛启示 , 杉安雅贵
Abstract: 本发明抑制设置有有机EL膜的显示装置中的漏电流。该显示装置包括第一电极、第二电极和有机EL膜。在该显示装置中,第一电极和第二电极具有不同的极性。当从垂直于预定平面的方向观察时,该显示装置中的有机EL膜形成在预定数量的子像素和连接部分上,该连接部分是连接预定数量的子像素之间的像素间区域中的相邻子像素的部分。当从平行于预定平面的方向观察,有机EL膜形成在第一电极与第二电极之间。
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公开(公告)号:CN118266284A
公开(公告)日:2024-06-28
申请号:CN202280076861.0
申请日:2022-11-14
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H10K50/858 , G02B5/20 , G09F9/30 , G09F9/302 , H10K50/844 , H10K59/122 , H10K59/131 , H10K59/35
Abstract: 本发明提供一种发光装置,在半导体基板(200)上设置有呈矩阵状排列的多个发光元件(300),该发光元件被设置成被第一保护膜覆盖,该发光元件具有:叠层,包括第一电极(302)、设置在该第一电极上的发光层(304)、设置在该发光层上的第二电极(306)、以及设置在该第二电极上的第二保护膜(308);以及侧壁(310),由具有与形成第一保护膜的材料相比不同的折射率的材料形成,并且覆盖叠层的侧表面的至少一部分,侧壁从第二电极的上表面以上的位置沿堆叠方向自上而下延伸至发光层的上表面以下的位置处。
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