公开(公告)号：CN117425963A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202280040854.5

申请日：2022-06-16

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 羽根田雅希 ,  琴尾健吾 ,  白数佳纪 ,  下村和辉 ,  藤井宣年 ,  平野嵩明 ,  藤井洋辅 ,  大井上昂志 ,  斋藤卓 ,  石丸敏之 ,  大岛启示 ,  今井愼一 ,  黑鸟托也 ,  杉山知広 ,  三桥生枝 ,  徳冈贤一

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种其中形成有所需的贯通电极的光检测装置。根据本发明的光检测装置包括：第一半导体层，其具有光电转换区域，并且所述第一半导体层的一面是第一面，另一面是作为光入光面的第二面；第二半导体层，其一面是第三面且另一面是第四面；第二配线层，其与所述第二半导体层的所述第三面叠置；第三配线层，其与所述第二半导体层的所述第四面叠置；第一配线层，其一面与所述第一半导体层的所述第一面叠置并且另一面与所述第二配线层和所述第三配线层中的一者叠置；第一导体，其具有第一宽度，由第一材料构成，并且沿厚度方向贯穿所述第二半导体层；以及第二导体，其具有小于所述第一宽度的第二宽度，由不同于所述第一材料的第二材料构成，并且沿所述厚度方向贯穿所述第二半导体层。

公开(公告)号：CN116114069A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202180063576.0

申请日：2021-10-20

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 中泽圭一 ,  小岛尚 ,  今井愼一 ,  金口时久 ,  嵯峨幸一郎 ,  徳弘快 ,  平野嵩明

IPC: H01L27/146

Abstract: 根据本公开实施方案的摄像装置包括：第一半导体层，其针对各个像素包括光电转换部和累积在光电转换部中产生的信号电荷的电荷累积部；第二半导体层，其堆叠在第一半导体层上，并且具有设置有像素晶体管的第一表面，其中像素晶体管具有三维结构并且从电荷累积部读取信号电荷；和贯通配线，其将电荷累积部和像素晶体管的栅极电极彼此直接连接。