保护元件
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1732546A

    公开(公告)日:2006-02-08

    申请号:CN200380107636.6

    申请日:2003-12-05

    Inventor: 古内裕治

    CPC classification number: H01H85/046 H01H2085/466

    Abstract: 使低熔点金属体加热熔融时的球状分裂化性能提高的保护元件是一种在基板上具有发热体和低熔点金属体并通过发热体的发热使低熔点金属体熔断的保护元件。该保护元件具有低熔点金属体离开基底(例如绝缘层)而浮置的区域,当将夹持该区域的一对低熔点金属体用电极3a和3b、3b和3c间的低熔点金属体4的横截面积设为S(μm2),将上述浮置区域的浮置高度设为H(μm)时,满足H/S≥5×10-5的关系式。这里,上述一对低熔点金属体用电极两者的上面最好是位于比上述基底的绝缘层的上面突出的位置。或者最好是上述一对低熔点金属体用电极的上面之间有台阶差,在该一对低熔点金属体用电极之间,低熔点金属体处于倾斜状态。

    保护元件
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1732545A

    公开(公告)日:2006-02-08

    申请号:CN200380107610.1

    申请日:2003-12-05

    CPC classification number: H01H85/046 H01H2085/466

    Abstract: 一种保护元件,在基板上具有发热体和低熔点金属体,通过发热体的发热使低熔点金属体熔断,其中在使电流通过低熔点金属体的一对电极间、通过设置大于等于两条的低熔点金属体作为低熔点金属体,将低熔点金属体的至少一部分横截面实质上划分为大于等于两个的独立截面。此保护元件是缩短了工作时间并且稳定化的保护元件。在此,在使电流通过低熔点金属体的一对电极间,优选设置大于等于两条的低熔点金属体。此外,还优选在使电流通过低熔点金属体的一对电极间,设置在中央部分嵌有缝隙的一条低熔点金属体。

    保护元件
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1324086A

    公开(公告)日:2001-11-28

    申请号:CN01121500.3

    申请日:2001-05-17

    Abstract: 一种保护元件1p,在基板上具有发热体3和低熔点金属体5,由发热体3的发热来熔断低熔点金属体5,通过流过电极7a、7b、7c来熔断该低熔点金属体5,满足下式:[低熔点金属体的截面积]/[熔断有效电极面积]≤0.15(1)。或者,将通过熔融的低熔点金属体5流过的电极7a、7b、7c中低融点金属体5而相邻的电极彼此间的距离作为电极间距离的情况下,满足下式:2.5≤[电极间距离]/[低熔点金属体的截面积]≤30 (2)。

    保护元件
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100461321C

    公开(公告)日:2009-02-11

    申请号:CN200480003492.4

    申请日:2004-01-30

    Inventor: 古内裕治

    Abstract: 本发明是用于防止过电流及过电压的保护元件。该保护元件具有:底座基板(1);在底座基板(1)上形成的一对电极(4、5);连接在该一对电极(4、5)之间,通过其熔断来切断在电极(4、5)之间流过的电流的低熔点金属体(2)。绝缘盖板(13)以与作为间隔构件的一对电极(4、5)相接触的状态进行定位固定。

    保护元件
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1748279A

    公开(公告)日:2006-03-15

    申请号:CN200480003492.4

    申请日:2004-01-30

    Inventor: 古内裕治

    CPC classification number: H01H37/76

    Abstract: 本发明是用于防止过电流及过电压的保护元件。该保护元件具有:底座基板(1);在底座基板(1)上形成的一对电极(4、5);连接在该一对电极(4、5)之间,通过其熔断来切断在电极(4、5)之间流过的电流的低熔点金属体(2)。绝缘盖板(13)以与作为间隔构件的一对电极(4、5)相接触的状态进行定位固定。

    保护元件
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1242442C

    公开(公告)日:2006-02-15

    申请号:CN01121500.3

    申请日:2001-05-17

    Abstract: 一种保护元件(1p),在基板上具有发热体(3)和低熔点金属体(5),由发热体(3)的发热来熔融低熔点金属体(5),通过流过电极(7a、7b、7c)来熔断该低熔点金属体(5),满足下式:[低熔点金属体的截面积]/[熔断有效电极面积]≤0.15;或者,将通过熔融的低熔点金属体(5)流过的电极(7a、7b、7c)中低融点金属体(5)而相邻的电极彼此间的距离作为电极间距离的情况下,满足下式:2.5≤[电极间距离]/[低熔点金属体的截面积]≤30。

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