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公开(公告)号：CN110520998B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201880025131.1
申请日：2018-04-17
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H10K39/32 , H04N23/10 , H04N25/70 , H04N25/79
Abstract: 本发明的摄像元件设置有光电转换单元，所述光电转换单元包括层叠的第一电极21、光电转换层23A和第二电极22；并且在第一电极21与光电转换层23A之间形成有无机氧化物半导体材料层23B。在该摄像元件中，无机氧化物半导体材料层23B包含选自由铟、钨、锡和锌组成的群组中的至少两种元素。或者，用于构成位于无机氧化物半导体材料层23B附近的光电转换层23A的部分的材料的LUMO值E1和用于构成无机氧化物半导体材料层23B的材料的LUMO值E2满足E1‑E2
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公开(公告)号：CN111971796A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201980025258.8
申请日：2019-04-10
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/30 , H01L31/10 , H01L51/42
Abstract: 摄像器件，其设置有其中堆叠有第一电极(21)、光电转换层(23A)和第二电极(22)的光电转换单元。在所述第一电极(21)和所述光电转换层(23A)之间形成有由至少部分具有非晶结构的无机氧化物半导体材料制成的半导体材料层(23B)，其中具有与具有非晶结构的无机氧化物半导体材料相同的组成且具有晶体结构的无机氧化物半导体材料的形成能具有正值。
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公开(公告)号：CN110112297A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910342663.4
申请日：2015-04-21
Applicant: 索尼公司
Inventor： 森胁俊贵
Abstract: 本发明提供了具有低暗电流的有机光电转换元件、摄像装置、光学传感器和光电转换元件制造方法。光电转换元件是通过如下方式提供的：形成有机光电转换层以作为第一电极的上层，所述有机光电转换层包含一种或多种类型的有机半导体材料；形成缓冲层以作为所述有机光电转换层的上层，所述缓冲层由非晶无机材料构成并具有7.7至8.0eV的能级，且所述有机光电转换层与所述缓冲层之间具有2eV以上的HOMO能级差；以及形成第二电极以作为所述缓冲层的上层。
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公开(公告)号：CN109791872A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780061011.2
申请日：2017-10-25
Applicant: 索尼公司
Inventor： 森胁俊贵
IPC: H01L21/02 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L33/42
CPC classification number: H01L31/022475 , H01L21/02565 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L27/307 , H01L31/022466 , H01L33/42
Abstract: 本发明的成像元件包括：第一电极、第二电极和在第一电极和第二电极之间的用于从第二电极接收入射光的受光层。第二电极包括氧化铟锡层，所述氧化铟锡层包含硅或氧化硅中的至少一种。
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公开(公告)号：CN111448663B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201880076693.9
申请日：2018-10-31
Applicant: 索尼公司
Inventor： 森胁俊贵
IPC: H01L27/146 , H10K39/30 , H10K30/60 , H04N25/70
Abstract: 一种摄像元件，其设置有光电转换部，所述光电转换部包括层叠在一起的第一电极21、光电转换层23A和第二电极22，其中，在所述第一电极21和所述光电转换层23A之间形成有无机氧化物半导体材料层23B，并且所述无机氧化物半导体材料层23B含有铟(In)原子、镓(Ga)原子、锡(Sn)原子和锌(Zn)原子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110112297B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201910342663.4
申请日：2015-04-21
Applicant: 索尼公司
Inventor： 森胁俊贵
Abstract: 本发明提供了具有低暗电流的有机光电转换元件、摄像装置、光学传感器和光电转换元件制造方法。光电转换元件是通过如下方式提供的：形成有机光电转换层以作为第一电极的上层，所述有机光电转换层包含一种或多种类型的有机半导体材料；形成缓冲层以作为所述有机光电转换层的上层，所述缓冲层由非晶无机材料构成并具有7.7至8.0eV的能级，且所述有机光电转换层与所述缓冲层之间具有2eV以上的HOMO能级差；以及形成第二电极以作为所述缓冲层的上层。
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公开(公告)号：CN111052382A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880051681.0
申请日：2018-06-12
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/10 , H01L51/42 , H04N5/369 , H01L27/30
Abstract: 一种摄像元件，包括光电转换单元，所述光电转换单元是通过把第一电极21、光电转换层23A和第二电极22层叠起来而形成的。在第一电极21与光电转换层23A之间，形成有无机氧化物半导体材料层23B，其与光电转换层23A接触。所述光电转换单元还包括绝缘层82和电荷累积电极24，电荷累积电极24与第一电极21分开设置着，并且电荷累积电极24隔着绝缘层82面对着无机氧化物半导体材料层23B。构成无机氧化物半导体材料层23B的材料的功函数值在4.5eV以下。通过从构成第二电极22的材料的功函数值减去构成无机氧化物半导体材料层23B的材料的功函数值而获得的值超过0.2eV。
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公开(公告)号：CN106463563A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580027505.X
申请日：2015-04-21
Applicant: 索尼公司
Inventor： 森胁俊贵
IPC: H01L31/10 , H01L27/146
CPC classification number: H01L51/4206 , H01L27/146 , H01L31/10 , H01L51/0008 , H01L51/0029 , H01L51/0032 , H01L51/424 , H01L51/4246 , H01L51/4273 , H01L51/442 , H01L2251/552 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了具有低暗电流的有机光电转换元件、摄像装置、光学传感器和光电转换元件制造方法。光电转换元件是通过如下方式提供的：形成有机光电转换层以作为第一电极的上层，所述有机光电转换层包含一种或多种类型的有机半导体材料；形成缓冲层以作为所述有机光电转换层的上层，所述缓冲层由非晶无机材料形成并具有7.7至8.0eV的能级，且所述有机光电转换层与所述缓冲层之间具有2eV以上的HOMO能级差；以及形成第二电极以作为所述缓冲层的上层。
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公开(公告)号：CN106463519A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580030324.2
申请日：2015-08-18
Applicant: 索尼公司
Inventor： 森胁俊贵
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开的目的是提供一种成像元件、设置有该成像元件的固态成像装置和电子设备，其中尽管所述成像元件具有简单结构，但是光接收层等却不易受到应力损伤。所述成像元件设置有包括第一电极(21)、在第一电极(21)上形成的光接收层(23)和在所述光接收层(23)上形成的第二电极(22)的层叠结构。第二电极(22)由具有导电性的透明非晶氧化物制成。
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公开(公告)号：CN102097047A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010557064.3
申请日：2010-11-24
Applicant: 索尼公司
Inventor： 森胁俊贵
CPC classification number: G09G3/20 , G09G2340/0464 , G09G2340/0492 , G09G2380/02
Abstract: 本发明提供了显示装置和控制显示装置的方法。该显示装置包括：柔性基板；显示单元，其包括布置在所述基板上的多个发光元件，用于根据图像信号显示图像；偏移传感器，其设于所述基板的前表面和后表面中的至少一者，用于检测所述基板的弯曲状态；及控制单元，其用于当所述偏移传感器检测到所述基板的弯曲时对所述显示单元中显示的所述图像进行翻转控制。根据本发明，能够通过依据弯曲时的弯曲量进行图像翻转控制来确保柔性显示装置弯曲时的显示的可靠性。
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